BiFeO3基多层复合铁电薄膜的制备和性能研究.pdfVIP

山东建筑大学硕士学位论文 摘 要 BiFeO (BFO)是少数室温单相多铁材料之一，由于其良好的铁电性能、压电性能和 3 铁磁性能等在微电子学铁电存储器、铁电电容器 、微机械学和集成光学 电光效应器件( ) ( ) 等领域具有广阔的应用潜力而受到研究者的广泛关注。但是由于在制备BFO 薄膜的过程 Bi Fe3+ (Bi O Bi Fe O ) 中 元素易挥发； 的变价；易形成杂质相 2 3、 2 4 9 等 以及气孔等缺陷导致 薄膜的漏电流比较大从而严重制约BFO 薄膜的实际应用。 在降低漏电流的众多方法中形成双层或者多层薄膜操作更简单，并且是属于纳米尺 度的结构设计，是更细微的微观改变，因此越来越受到研究者的重视。此外，理论上构 筑双层多层结构能抑制膜内氧空位的迁移，从而会降低其漏电流密度。研究发现 Sr Bi Ti O (SBT)薄膜具有较低的漏电流；良好的疲劳性能。 2 4 5 18 本文采用溶胶凝胶法，层层退火工艺制备了以- SBT 为过渡层的BFO 基双层复合薄 膜，并且系统的研究了SBT 过渡层厚度对双层复合薄膜的结构和多铁性能的影响，探讨 了相关作用机理。 1、研究了SBT 过渡层厚度对BFO/SBT 双层复合薄膜性能的影响。所有薄膜样品均 BS80 形成了铋层状钙钛矿结构。 样品结晶较好，晶粒尺寸均匀且最小，薄膜致密度较好； Fe2+含量最少，氧空位浓度最低。80nm 厚的过渡层提高了双层复合薄膜样品的剩余极化 强度和介电常数，降低了双层复合薄膜样品漏电流密度和介电损耗。并且有趣的是在不 同的电场强度下漏电机制不同，在低电场(E100kV/cm)下复合薄膜的漏电机制为欧姆传 导，高电场下(E100kV/cm)复合薄膜的漏电机制为F-N 隧穿效应。 2 SBT Mn BFO 、研究了 过渡层对 掺杂 薄膜性能的影响。制备了一系列不同过渡层 厚度的BiFe Mn O /SBT(BFMO/SBT)双层复合薄膜。由XRD 和SEM 分析可知，所 0.98 0.02 3 有薄膜样品均形成了钙钛矿结构，且BMS40 薄膜样品结晶较好，晶粒尺寸均匀且较小， XPS Fe2+ 薄膜致密度较好。由 结果可以看出，该样品中 含量最少，氧空位浓度最低。此 SBT BFMO 40nm 外由于 和 薄膜层间耦合以及应力作用， 过渡层增强了薄膜样品的压电 2 (d ~121pm/V) 1250kV/cm 2Pr 99 μC/cm 2Ec 性能 33 和铁电性能，测试电场为 时， 为 ， 为 −5 2 846kV/cm，测试电场为350kV/cm 时，漏电流密度为5.21×10 A/cm 。由于晶粒的尺寸 效应，使得引入SBT 过渡层后的薄膜样品铁磁性能下降。由于老化程度是氧空位浓度影 响缺陷偶极子的重新有序排列所致，因而引入过渡层的样品老化程度较弱。 I 山东建筑大学硕士学位论文 3 Ca SBT Ca