模拟集成电路 无源和有源电流镜.pptVIP

第五章 无源与有源电流镜 2014-12-30  简单偏置的电流源 Ium un ox w(2vn -v- 2 R loat|上式说明Im受很多因素影响:电源、工艺(不 同晶片vm可能会有土100mV的误差)、温度( r都受温度的影响)。因此Iom很难确定。 2 特别是为使M1消耗较少的电压余度而采用较小 的偏置电压时,这个问题更严重。 例如,若Von1=200mV,Vr有50mV的误差就会使输出 电流产生44%的误差。 如何产生精度、稳定性均较好的电流源? 2014-12-30  用基准来产生电流源 用相对较复杂的电路(有时需要外 部的调整)来产生一个稳定的基准 电流I° v Reference Generator C。py IREFC Circuit 在模拟电路中,电流源的设计是基于对一个稳定的基准电流Ir的复制( Ip常由基准电路(第11章)产生,这里不作讨论),从而得到众多的电流 源。现在我们关心的是,如何产生一个基准电流的精确复制呢? 2014-12-30  基准电流的简单“复制” 基本电流镜中,若不 考虑沟道调制效应: (V -v-n)2 Mah iger W REF I=21()2(Vm-Vm)2 匚基本电流镜 2 L 该式表明Lu是Ir的复制且不受 =W/P电源电压、温度和工艺的影响。 (W/L 事实上,VDs;通常是不变的,而Vns2与Lm连接的节点电压有关,一般而 言,这个节点的电压是随输入信号变化而变化的,≠0时,I。不可能是 的“精确”复制 电流镜有何用途?  电流镜运用举例 叶 04 04 HEF M 5 W N 2014-12-30  基本电流镜的误差 pmmL如何精确复制? Iref 2 〉2(1+λ1Vns,) GS 2(1+2vs2) ont1+λVbs2电流镜中所有管取相同的沟道 长度L,以减小源漏区边缘扩散(L) Irer1+aVDs1所产生的误差 2014-12-30  基本共源共栅电流镜 +IREF REF (% M vesa+ v, M A、M选择合适的宽 选择V使xNun即是1m的精确复制即使长比使Vsn=Vs, V变化因△V△V2(gmm故Vx=Vy,m则vx=Vy REFO 注意,这是靠牺牲电压余度来获得的精度 2014-12-30  基本共源共栅电流镜的摆幅问题 例54画出Ⅴx 从一个大的正 当M3刚退出饱和时ⅤDs3=Vmn,因M退出饱 电压下降时Ix(m 和以前可以认为Vn基本不变(△V 和V的草图。 △VA/(ga3ra3),即ⅤB=VA= VAsI,故当M3 Mo 叶M3 刚退出饱和时有: min (A) v+ M3退出饱和 V1)+V1 Ve I2退出饱和 这比M2和M3同时退出 WN-VTH3 V w4-vnw饱和时的: VXmin VA-Vn42+Voss Von3+Von2大了一个开 启电压 VT这在低电源电压运用中是一个很大的电压损失!  基本共源共栅电流镜摆幅损失的原因 分析基本共源共栅电流镜输出摆幅损失了 HEP ○v一个阙值电压Y的原因不难发现:由于M M。H,M 退出饱和时vg基本不变,故为使: ‖H[M Xmin on3 必须使M在正常工作时vBVm20,由于ⅤA=VB,也即ⅤVa2ay,然 而在基本共源共栅镜中ⅤA=Ⅴcs=Von+Vp,显然,为减小基本共源 共栅电流镜输出摆幅的损失必须减小V的大小。 2014-12-30  低压共源共栅电流镜的原理 x v·M2 M M A M 卡 M M 上图中V=Vos-VDs2,若选取VDs2≈Vr,则: 1(y于是: 比基本共源共 栅电流镜减小了一个阈值电压VTH,低压共源共栅电流 镜由此得名。 2014-12-30 10