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实验一 光敏电阻特性实验 一．实验目的： １．认识学习光敏电阻，掌握光敏电阻的基本工作原理。 ２．掌握使用本仪器测定光敏电阻的各种特性。 ３．达到会用光敏电阻器件进行光电检测方面应用课题的设计。 二．实验原理： 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻， 又称为光导管， 是一 种均质的半导体光电器件 ,其结构如图（ 1）所示，光敏电阻 采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大 的灵敏面积 ,提高灵敏度。 光敏电阻应用得极为广泛， 可见光 波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻， 利用光敏 电阻制成的光控开关在日常生活中随处可见， 当内光电效应 发生时，光敏电阻电导率的改变量为： p e n e p n 图（１） 在上式中， e 为电荷电量， p 为空穴浓度的改变量， n 为电子浓度的改变量， 表示迁 移率，当两端加上电压 U后，光电流为： A I U ph d 式中 A 为与电流垂直的表面， d 为电极间的间距。在一定的光照度下， 为恒定的值，因 而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻在未受到光照射时的阻值称为暗电阻， 此时流过的电流称为暗电流， 光敏电阻 受到光照射时的阻值称为亮电阻， 此时流过的电流称为亮电流， 亮电流与暗电流之差称为光 电流， 一般暗电阻越大， 亮电阻越小，光敏电阻的灵敏度越高，光敏电阻的暗电阻一般在兆 2 6 欧数量级，亮电阻在几千欧以下，暗电阻与亮电阻之比一般在 10 ～10 之间。 一般光敏电阻（如硫化铅、硫化铊）的伏安特性曲线如图（ 2）所示，由该曲线可知， 所加的电压越高，光电路越大， 而且没有饱和现象，在给定的电压下， 光电流的数值将隋光 照增强而增大， 在设计光敏电阻变换电路时， 应使光敏电阻的工作电压或电流控制在额定功 耗线之内。 图（２）光敏电阻伏安特性曲线 光敏电阻的光电流与光照强度之间的关系， 称为光敏电阻传感器的光照特性， 不同类型 的光敏电阻，其光照特性也不同，多数光敏电阻传感器光照特性类似于图（ 3）的特性曲线， 光敏电阻的光照特性呈现出一定程度的非线性特性， 光敏电阻的光照度——电阻值的典型特 性曲线如图（ 4）所示，低照度 a 区曲线斜率较大，中间照度区 b 区可近似视为直线区，也 是光敏电阻的主要工作区， 因而光电流随光照度增长较快， 在高照度区， 电阻值随照度下降 慢，光电流随照度增长也变慢。 图（３）光敏电阻光照特性曲线 图（４）光敏电阻照度—电阻特性曲线 几种常用光敏电阻的光谱特性曲线如图（ 5）所示，对于不同波长的光，光敏电阻的灵 敏度是不同的。 从图中可以看出， 硫化镉的峰值在可见光区域， 而硫化铅的峰值在红外区域。 因此，在选用光敏电阻时应当把元件和光源的种类结合起来考虑，才能获得满意的结果。 图（５）光敏电阻光谱特性曲线 当光敏电阻元件温度升高时，光敏电阻的阻值会下降，并且暗电阻比亮电阻下降更多。 环境温度对低照度时电阻值的影响比在高照度时影响更大， 因此， 当环境温度升高时， 光敏 电阻的亮电阻与暗电阻之差值会减小，这意味着光敏电阻的光电流会有所降低，图（ 6）示 出了 CdS光敏电阻在光照度一定时光电流与环境温度的关系曲线， 可以看出环境温度上升时 CdS光敏电阻的光电流会有所下降。 图（６）光敏电阻温度特性曲线 三．实验所需部件 : 直流稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元） 、数字电压／频率表、各种光源、遮 光罩、固体激光器、光照度计（自备或选配） 四．实验步骤 : １. 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻并计算光电阻，观察光敏电阻的结构 ,用遮光罩将光敏 电阻完全掩盖 ,用万用表欧姆档测得的电阻值为暗电阻Ｒ 暗,移开遮光罩，在环境光照下 测得的光敏电阻的电阻值为亮电阻Ｒ 亮，暗电阻Ｒ 暗与亮电阻Ｒ 亮之差为光电阻Ｒ 光， 光电阻越大， 则光敏电阻灵敏度越高。 然后在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏 电阻，试作性能比较分析。 图（７）发光管连接电路 图（８）光敏电阻测量电路 ２. 测试光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流，按照图（ 8）接线，分别在暗光及环境光照 射下测出输出电压Ｕ 暗和Ｕ亮，电流Ｉ 暗=Ｕ暗/Ｒ,亮电流Ｉ 亮=Ｕ亮/ Ｒ，亮电流Ｉ 亮与暗 电流Ｉ 暗之差称为光电流Ｉ 光，光电流越大则灵敏度越高。 ３. 光敏电阻的伏安特性测试，按照图（ 8）接线，电源可从直流稳压电源± 2～± 12V 间选 用，每次在一定的光照条件下，测出当加在光敏电阻上电压 为+2V、+4V、+6V、+8V、 +10V、+12V 时电阻 R两端的电压 U，和电流 I ，同时计算出此时光敏电阻的阻值，并填 入以下表格，根据实验数据画出光敏电阻的伏安特性曲线。 光敏电阻伏安特性测试数据表（暗光） 工作电压 2V 4V 6V 8V 10V 12V