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远离位错线原子位移a,因而滑移面两侧的原子仍然对齐,但在位错线附近原子的位移小于a,形成螺旋线 螺位错原 子排列图 (2) 螺型位错 位错线平行于滑移方向 (3) 混合位错 位错线和滑移方向成任意角度? 当位错线既不平行于也不垂直于滑移方向时,可以将晶体的滑移分解为平行于边界线的位移分量acos ?和垂直于边界线的分量asin ? ,也就是将位错看成是螺型位错和刃型位错混合而成的,所以称为混合位错。 纯刃型和螺型位错都必须是直线形状,混合位错可以是直线、曲线或封闭曲线。 位错的产生使位错线周围几个晶格常数范围内晶格畸变,破坏了晶格的周期性,如何表示晶格畸变的程度? 3. 柏格斯回路和柏格斯矢量 首先在含有位错的实际晶体中做一闭合回路,从晶体中任一原子出发,沿逆时针方向围绕位错,但要避开位错线,回路中也不能包含其它缺陷。再在参考的理想晶体中做一个步数相同,方向相同的回路,显然该回路不能闭合,为了使回路闭合,必须从终点向起点引一矢量b使回路闭合。则矢量b称为实际晶体中位错的柏格斯矢量。 刃型位错的柏格斯矢量垂直于位错线 螺型位错的柏格斯矢 量与于位错线平行 1. 杂质原子与位错 由于位错线附近晶格畸变,晶体中的杂质原子会在位错线处聚集。当比基质原子小的杂质原子进入晶体时,倾向于在刃型位错线上部晶格受压缩的区域,而比基质原子大的杂质原子进入晶体时,则倾向于处在刃型位错线下部晶格受扩张的区域,以此减小晶体的形变势能。 2. 位错的攀移 刃位错可以在垂直于滑移面的方向运动,从而使位错离开原来的滑移面。 多余半原子面缩小--正攀移 多余半原子面扩大--负攀移 3. 位错与小角晶界 二、与位错有关的现象与性质 D为相邻位错间的距离,b为原子间距 小角晶界 第4章晶体结构中的缺陷 理想完整的晶体中,原子处在有规则的、周期性排列的格点上,但在实际的晶体中,原子的排列不可能那么完整和规则,经常存在着偏离了理想晶体结构的区域,这些与完整晶体中周期性点阵结构发生偏离的区域就构成了缺陷。缺陷的存在破坏了晶体本身的对称性和周期性。 根据缺陷的几何形状和所涉及的范围可以分为点缺陷、线缺陷和面缺陷。 晶体中的缺陷虽然一般数量不是太大,但它对晶体的许多性质会产生重要影响。如半导体的导电性,金属的力学性质等。 3.1 点缺陷 点缺陷是晶体在一个或几个晶格常数范围内偏离理想周期性结构的一种缺陷。 特点:在三维方向的尺寸都与原子尺寸相近。 包括空位、间隙原子、杂质原子等。 一、点缺陷的形成及种类 晶格点阵中的原子总是在不停地在做热振动,振动的平均能量为Ei,但在一定的温度下,总有一些原子存在一定的概率获得较大的能量而克服平衡位置势阱的束缚,脱离原来的格点而迁移到其他位置上,而在原来的位置上出现空格点,称为空位,空位的出现破坏了原来各原子的力学平衡,使周围的原子都要略微偏离原来的平衡位置,达到新的平衡状态,这样就在空位周围产生了三个方向都很小的点阵畸变,形成点缺陷。 1、肖特基缺陷--只形成空位 晶体中的原子由于热振动的涨落而脱离其平衡位置,如果该原子脱离格点后并不在晶体内部形成间隙原子而是迁移到晶体表面上正常格点的位置或者迁移到晶粒间界或位错处。即只形成空位。就属于肖特基缺陷。 具体的形成过程可能是 (1) 靠近表面或界面的原子迁移到晶体表面或界面,形成空位,内部的原子再迁移到该空位上,最后在晶体内部形成空位;(2) 晶体内的原子通过多次跳跃到达晶体表面上格点的位置,而在晶体内部形成空位。 需要注意的是也存在上述过程的逆过程,即表面的原子和内部的空位发生复合而使空位数目减小。 一定的温度下,空位应达到平衡浓度。 2、弗兰克尔缺陷--产生一个空位和一个间隙原子 晶体中的原子由于热涨落,获得能量,脱离平衡位置,如果原子迁移到晶格点阵的间隙之中,同时产生一个空位和一个间隙原子。 这种缺陷是由弗兰克尔首先发现的,因此称为弗兰克尔缺陷。 在一定的温度下,晶体中弗兰克尔缺陷也保持一平衡浓度,它的复合和产生也保持动态平衡。 3、间隙原子 由于热振动能量的涨落,使晶体表面的原子获得足够的动能进入晶体内部格点之间的间隙位置,这些位置在理想情况下是不被原子所占据的,从而在这些被占据的间隙位置形成缺陷,称为间隙原子。 肖特基缺陷、弗兰克尔缺陷和间隙原子这三种缺陷都是靠 原子热振动能量的涨落产生和运动的,所以称为热缺陷。 4、杂质原子 实际晶体不可避免含有或多或少的杂质,为了改善晶体的电学光学性能,经常有控制地向晶体掺入少量杂质原子,如向Si中掺入Al,Ga,或As,P等。 向晶体掺
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