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16 10 0 1 1 0 2 2 0 14 8 2 0 0 4 0 0 0 0 10 ln 0.026ln 0.35 1.5 10 2 ( ) [ ] [2 ( )] 3.9 8.85 10 1.725 10 0.2 10 [2 i F i s B D s o rs s s D d D D rs s D rs s o D rs rs E E n kT V V V q q N Q V C V Q qN x qN qN V qN C F cm d Q d V qN C ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 二氧化硅层中的压降: 表面深耗尽 1 2 0 ( )] s V ? 31 1 4 19 16 14 2 14 1 0 0 2 0 0 0 0 0 0.2 10 [2 1.6 10 10 11.9 8.85 10 0.35] 3.9 8.85 10 1.99 1.99 0.35 2 4.34 2 2 ( 0.35) 0.70 [2 ( )] [2 ( 2 G o s FB s B s o D rs s D rs rs rs V V V V V V V V V Q d d V qN V qN C ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 表面本征时 = 衬底表面强反型: 1 2 1 0 2 0 0 )] 2 [2 ( )] 2 2 ( 1.99) 2.81 2.81 0.70 2 5.51 B D rs B rs o o G o s FB V d qN V V V V V V V V ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 强反型时 = = = 32 ② a : 0, 1 2 n 0, 0, 0. . 6 38 G R FB gF gS gd S gM V V V V V I I I I I ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Q i 2 时的反向电流( 300K ) . ,(或是 S O 中正电荷或是金半功函数的作用) 型衬底表面为多子积累状态 场感应结产生电流 表面界面态产生 电流 表面耗尽层 只有冶金结的反向漂流电流 和产生电流 由 式 33 1 2 2 1 19 23 10 2 3 2 6 16 14 2 2 16 3 2 ( ) 1.6 10 1.38 10 300 400 (1.5 10 ) ( ) 10 1 10 10 1.16 10 1.16 10 1 , , , 10 400 2 1 2 2 p no p i s Mj Mj p D D p p p p no i D p i Mj i r gM D Mj Mj qD p qkT n I A A L N u N kT D L D p q n N cm cm s qn A n I q x A ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 其中: 由 = 查表得 = 0 ( ) s D R D V V qN ? ? 34 19 10 3 14 6 19 16 6 5 11 1.6 10 1.5 10 10 2 11.9 8.85 10 (0.7 1) 2 10 1.6 10 10 1.2 10 4.73 10 5.68 10 56.8 u ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 0, 1 G R V V V ? ? ? ? 时的反向电流 14 11 11 1.16 10 5.68 10 5.68 10 k s gM I I I ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? b: 20 , 1 G R V V V V ? ? ? ? 时的反向电流 由( 1 )知强反型时 。 35 即 20 5.51 5.51 1 6.51 R V V V ? ? ? ? ? ? ? ? ? 栅下 n 型表面处为强反型状态 —— 少子空穴堆积 ? 0 gs I ? 界面态表面产生电流 表面耗尽区产生电流 0 gd I ? ? 反向电流 14 11 1.16 10 5.68 10 Rg gM gF s sF s gM I I I I I I I ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 由上式算得: 36 PowerPoint2003 第八章 1 半导体物理学

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