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PMOS 与 CMOS 结构 近代信息处理 课件 31 MOS 管基本工作原理 近代信息处理 课件 32 导电沟道的形成 ? D, S 短路， G, S 上加正向电压 （ V DS =0; V GS 0 ） ? 栅极与 P 型衬底之间象一个平行板电容器。 ? 绝缘层两边，栅极感应正电荷， P 型一边 感应负电荷。 ? 负电荷一开始会与 P 型中的空穴（多子） 中和，形成耗尽层。所以，当 V GS 较小 时，没有电流。 ? 当 V GS V GS （ th ） 时，除了耗尽层外，负 电荷（ P 区的少数载流子）在靠近绝缘层 处形成一个 N 型薄层，即 反型层 。 V GS(th) ： 开启电压 ? 反型层 成为 D, S 间的 导电沟道 ，并受 V GS 控制。但由于 V DS =0 ， D, S 之间并没有 电流产生。 中国科学技术大学 近代物理系 赵雷 33 Al V GS PN 结 漏，源极（ D, S ）之间电压的影响 ? 在 D, S 之间加正电压（ V DS 0 ）， i D 产生 中国科学技术大学 近代物理系 赵雷 34 (a) D 上的正电压会削弱 珊级上的正电压。靠近 D 一侧的导电沟道 变窄 。 (b) 当使 V DS ? ，沟道 会在 D 一侧继续变窄。 (c) 当 V DS ? 到 V GD =V GS(th) ，沟 道上会出现预夹断。再继续 增加 V DS ， 夹断层只是稍为加 长。沟道电流基本保持在预 夹断时的数值。 开启电压 V T MOS 管基本工作原理 近代信息处理 课件 35 单粒子效应介绍 ? 半导体元件的辐照效应 ? 单粒子效应的概念 ? 单粒子效应产生的机制 ? MOS 器件的单粒子效应 -- MOSFET 的结构 -- MOS 存储器的结构 -- CMOS 器件的单粒子效应产生的机理 ? 单粒子效应的加固 近代信息处理 课件 36 MOS 存储器 近代信息处理 课件 37 ROM: Read-Only Memory PROM: Programmable ROM EPROM: Erasable PROM UVEPROM: Ultra-Violet EPROM E 2 PROM: Electrically EPROM RAM: Random Access Memory SRAM: Static RAM DRAM: Dynamic RAM 基于 MOS 技术的 ROM 基本结构 近代信息处理 课件 38 Y 1 Y 0 Y 2 Y 3 V C C D 3 D 2 D 1 D 0 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 近代信息处理 课件 39 SRAM DRAM ? 使用灵活，方便，容易控制。 ? 速度快。 ? 数据的易失性，断电后不能保存 ? 使用较多的晶体管，电路复杂， 集成度相对低。 ? 功耗大。 ? 控制复杂，需刷新控制。 ? 速度慢。 ? 数据的易失性，断电后不能保存。 ? 使用较少的晶体管，电路简单，集 成度相对高。 ? 功耗小。 RAM 存储器的分类及特点 SRAM 基本结构 近代信息处理 课件 40 SRAM 基本结构单元 近代信息处理 课件 41 六管 NMOS 静态存储单元 六管 CMOS 静态存储单元 基本 SR 锁存器 基本 SR 锁存器 近代信息处理 课件 42 ? 由两个或非门电路加交叉反 馈构成 ? 输出：互补的 Q 和 /Q -- 当 Q=1 ， / Q = 0 时，称为“ 1” -- 当 Q=0 ， /Q=1 时，称为“ 0” ? 输入： S 、 R 逻辑图 Q S Q ? ? Q R Q ? ? 逻辑表达式 S R Q /Q 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 0 不变 不变 0 0 S : (Set): 置 1 端，置位 R : (Reset): 置 0 端，复位 逻辑符号 S R Q /Q S R Q /Q G 1 G 2 电路结构 单粒子效应与辐射测试 赵 雷 2014-6-4 主要内容 ? 单粒子效应介绍 ? 辐射测试的基本原理与技术 ? ATLAS Pixel Detector 的升级及其 Front End Chip 的 SEU 测试 ? 基于 FPAG SEU 测试系统的设计 近代信息处理 课件 2 单粒子效应介绍 ? 半导体元件的辐照