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第3章场效应管及其应用
3.1场效应管及其应用
·3.2场效应及其放大电路
ACK
3.1场效应管
场效应管按结构分为结型场效应管和绝缘栅型场
效应管两类。
3.1.1结型场效应管
1.结型场效应管的结构及工作原理
1)基本结构及符号
如图3.1(a)所示,在一块N型硅半导体两侧制作
两个P型区域,形成两个酬N结,把两个P型区相连后引出
个电极,称为栅极,用字母G(或g)表示。
d漏极,耗尽层
d
g栅极
s源极
(c)
图3.1结型场效应管结构与符号图
(a)结构;(b)N沟道结型场效应管符号;
(c)P沟道结型场效应
2)工作原理
图3.2表示的是结型场效应管施加偏置电压后的接
线图。
2.特性曲线
场效应管的特性曲线分为转移特性曲线和输出特
性曲线。
1)转移特性
在bs一定时,漏极电流i与栅源电压ucs之间的关系
称为转移特性。即
常数
图3.2N沟道结型场效应管工作原理
ID
DSS
=12V
3
UGs/V
图3.3N沟道结型场效应管转移特性曲线
在 UGS(ofD -8os0的范围内,漏极电流i与栅极电
压ucs的关系为
ip=loss (
Gs(ef)
2)输出特性
输出特性是指栅源电压uos一定,漏极电流i与
漏极电压Ds之间的关系,即
i=f(mlo-常数
恒流区(放大区)
可变电阻区
2 V
3 V
0
24681012141618
夹断区
图34N沟道结型场效应管输出特性曲线
3.12绝缘栅型场效应管
1.增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理
1)结构及符号
2)工作原理
d
型硅衬底
衬底引线
图3.5增强型MOS管结构及符号图
(a)N沟道结构图;(b)N沟道符号;(c)P沟道符号
P型硅衬底
图3.6N沟道增强型MOS管工作原理
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