静电成像原的理及其的应用.pptVIP

静电成象原理及其应用 1、充电 (1)原理充电就是使感光鼓接受一定 极性和数量电荷的过程。使感光鼓带电的方 法有感应摩擦、电荷转移等几种,为了使鼓 表面均匀带上数百伏特的电位,通常采用直 流电晕放电的方法。电晕放电是在细线形状 的导体和感光鼓之间附加电压,将靠近细线 的空气电离而使其放电。因为放电电流为数 微安,所以可采用图2-5所示的电极布置。 图2-5 高压电源 护罩 电晕丝 感光体 补助栅 电晕丝 (b)是在电晕丝和感光鼓之间设有细线, 加上适当电压,控制电晕电流。这种装置叫 做可控电晕充电器,它的结构较为复杂。现 大多采用(a)和(c)那样的充电器。电晕 丝是使用直径为0.1mm左右的钨丝,外施数 千伏的直流电压使之放电。 放电过程 在放电过程中,感光鼓底基和位于其表面 附近的电晕丝之间施加有几千伏的电压。由 金属丝发出的电晕使鼓表面附近的空气分 子一大多数是GO2电离,暗充电步骤称为鼓 的敏化。充电速度取决于电晕丝上所施加的 电压。一般来说,电晕电压应维持在5千伏左 右。电晕充电既可以使鼓充正电,也可以使 其充负电,这得要由光导层的特性来决定。 将感光鼓置于暗处,对感光膜层均匀地充上一层 电荷,由于光电导材料硒是属于P型半导体,接受 正电荷比较容易,因此,硒光导体表面充的是正 电荷。在充电阶段,当电晕器加上高压后,在高 压电场的作用下,电晕器开始放电,使电晕丝周 围的空气产生电离,正极性的离子在电场作用下, 向光导体表面运动,由于光导层与空气接触的自 由界面起着阻挡层作用,使电晕离子不能穿越光 导层,而只能沉积在光导体的表面,于是在光导 体表面分布了一层正电荷。与此同时,根据电荷 感应原理,在光导体与导电底基的界面处导电底 基一侧,被感应出等量的反极性电荷,如图2-6所 图2-6 ++++++++ Al 光导体与导电底基界面对这种反极性电 荷必须具有阻挡作用。在硒半导体中, 空穴为多数载流子,电子为少数载流子 因此,硒膜层与导电底基之间的界面就 阻挡少数载流子一电子进入硒光导膜层 中。最后,光导体表面就具有一定的表 面电位。光导体的充电过程也称为光导 体的敏化。 随着充电时间的延长,表面电荷越积越 多,表面电位也相应升高,由于表面电 位的升高,使光导体表面到电晕丝之间 电场强度梯度减小,导致了电晕电流的 减小;相反,光导体自由界面到导电底 基之间的电场强度梯度增加,导致光导 层泄漏电流的增加,当电晕电流与泄漏 电流达到动态平衡时,表面电位就达到 某一稳定值,称为饱和电位。饱和电位 的大小与电晕放电器和光导层的性能有 关 当电晕放电器的能力足够强时,光导体 的表面电位就能一直升高,最后达到 定最大值,称为极限电位。如果超过这 个值,光导层就会被击穿。因此,极限 电位的值取决于光导膜层本身的击穿强 度