6.4.3 量子阱红外探测器.pdf

6.4 红外焦平面探测器 红外焦平面探测器 ◆ 焦平面的概念与基本结构 ◆ 肖特基势垒探测器 ◆ 量子阱与量子点探测器 ◆ 倒装互连技术 6.4 红外焦平面探测器 6.4.3 量子阱与量子点探测器 量子阱与量子点探测器 量子阱探测器 量子阱红外探测器 ❖ 量子阱红外探测器(QWIP)是随着分子束外延技术及量子阱超晶格材料 的发展，利用GaAs/GaAlAs量子阱子带间红外光电效应制备的高灵敏红 外探测器；它具有InSb 、HgCdTe同样的性能，可实现大面积、均匀性 高，且与目前的GaAs工艺兼容； ❖ 通过改变量子阱宽度和势垒高度对带隙宽度进行人工剪裁，可方便地获 得6～20μm光谱范围的响应，通过在GaAs势阱层内增加InGaAs材料， 短波长可扩展到3μm。通过改善量子阱能带参量可以实现光谱响应大范 围调节，在2~20μm的范围内均可工作； 有缘学习更多+谓ygd3076考证资料或关注桃报：奉献教育（店铺） 量子阱红外探测器 ❖ 当器件正偏时，电压增大，光电信号减少；零偏时，光电信号较大； 反偏时，电压增大，光电信号增大量很少，达到饱和。故量子阱探测 器具有明显的整流特性； ❖ 能带与掺杂分布的不对称性，使得整个N型区有类似于P-N结的特性， 故具有向长波延伸的条件。 ❖ 从1987年贝尔实验室研制出第一个GaAlAs/GaAs 量子阱红外探测器以 来，该技术得到了迅速发展，成为三十多年来红外探测器领域研究的 新热点。 量子阱的基本结构 ❖ 下图为GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器子带吸收的能带示意图，量子阱 导带内基态电子(或空穴)在红外辐射作用下，向高能带跃迁，并在外电 场作用下做定向运动，形成与入射光强成正比的光电流。 量子阱红外探测器 ❖ Levine等人利用该原理试制出了最初的量子阱红外探测器。该量子 阱红外探测器是采用分子束外延法交替生长GaAs阱和AlGaAs势垒 50个周期构成的超晶格结构。 量子阱探测器的基本工作模型 量子阱红外探测器工作的基本模型 ❖ 束缚态－束缚态跃迁：量子阱中的两个子能带均为束缚态， 在红外辐射的作用下，电子从基态被激发到第一激发态 （光 谱响应窄），处于受激态的电子在外加较大偏压电场的作用 下，穿过薄势垒顶部产生隧道贯穿，并以热电子形式输运， 形成光电流； 量子阱红外探测器工作的基本模型 ❖ 束缚态－束缚态跃迁：量子阱中的两个子能带均为束缚 态，在红外辐射的作用下，电子从基态被激发到第一激 发态 （光谱响应窄），处于受激态的电子在外加较大偏 压电场的作用下，穿过薄势垒顶部产生隧道贯穿，并以 热电子形式输运，形成光电流； ❖ 束缚态－自由态跃迁：当势阱宽度进一步减小时，子能 级的束缚态会在势阱中上升，形成高于势垒的自由态(或 连续态) （光谱响应较宽），在红外辐射作用下，使电子 直接从势阱进入自由态，在较小外加偏压作用下形成光 电流； 量子阱红外探测器工作的基本模型 ❖ 多量子阱跃迁：由两种不同半导体材料薄层交替生长形成多层结构 （A/B/A/B…），两种跃迁方式均存在的多个量子阱探测器模型。 控制超晶格薄层的厚度可以改变响应波长 ❖ 如果势垒层足够厚，相邻势垒间 的载流子波函数耦合很小，则多 层结构形成分离的量子阱。在更 密的隔离材料层中的每一层里， 利用人工结构材料制造技术， n=1能级逐次升高； 多量子阱红外探测器工作的基本模型 ❖ 通过施加一定偏压，可使得这一设计的 特殊材料层所有n=1的能级排列成一直 线。此时，该材料层成为通过电子隧道 电流的能量滤波器，隧道电流由具有特 定能量的电子构成，并存在于这一能级 输出电流中。 ❖ 右图相当于一个光电倍增器阵列，每个 VSSEF级中，形成单一能量的电子电 可变空间超晶格能量滤波器(VSSEF) 流。 (b)量子阱宽度对能级的影响； (c) 调整偏置电压后的能级图 量子阱红外探测器的暗电流 ❖