第一性原理方法计算半导体硅的能带结构.pptVIP

第一性原理方法计算半导体硅的能带结构 湘潭大学物理学专业基础课 计算物理及其应用 材料与光电物理学院 目录 ? 一、实验目的 ? 二、实验内容 ? 三、计算的硬件条件和软件条件 ? 四、实验要求 ? 五、实验步骤 ? 六、实验报告要求 ? 七、思考题 实验目的 ? 1 ．学会构建硅原胞模型； ? 2 ．了解第一性原理计算方法； ? 3 ．熟悉计算结果中硅能带结构的分析。 实验内容 ? 运用第一性原理计算软件 V ASP 计算半导体硅能带结构。 计算的硬件条件和软件条件 ? 1 ．硬件：计算终端－曙光天潮 4000 高性能计算集群，客 户端－实验室 PC 机； ? 2 ．软件： V ASP 4.6 软件包，数值作图软件 origin 等 实验要求 ? 1 ．学习晶体硅模型的搭建； ? 2 ．学习 V ASP 程序输入文件的设置； ? 3. 学习计算结果 EIGENV ALE 本征值文件的处理，学会 用 ORIGIN 软件作图； ? 4. 要求学生独立完成计算，能够在计算过程中适当地了解 一些科研过程，培养发现问题、分析问题和解决问题的能 力； 实验步骤 ? 1. 首先，用 MS modeling 软件构建硅原胞的模型。硅晶体 是金刚石结构，在计算中采用的是它的原胞 fcc 结构，共含 有两个硅原子； 硅晶体呈金刚石结构 硅的原胞呈 fcc 结构 实验步骤 2. 运行 V ASP 需准备四个输入文件： INCAR KPOINTS POSCAR POTCAR 一个执行文件： vasp.pbs 。 实验步骤 3. (1) 首先进行静态自洽计算 在输入文件 INCAR 中设置： SYSTEM = Si ！体系名称 ENCUT = 400 ！设置截断能 ISTART = 0 ！新的开始 ICHARG = 2 ！按原子密度来构造初始电荷密度 ISMEAR =0 ！采用高斯方法进行 Smearing SIGMA=0.1 ! 收敛宽度 EDIFF = 1E-6 ！控制总能的收敛标准 PREC = Accurate ！计算精度控制 LREAL=.FALSE. ! 倒空间投影 LCHARG=.TRUE. ! 写出电荷密度 LWA VE=.TRUE. ! 写出波函数 实验步骤 KPOINTS 文件： Auto 0 M ！采用自动的 Monkhorst-Pack K 点选取方式 4 4 4 0 0 0 POSCAR 文件： Si 5.4 0.5 0.5 0 0 0.5 0.5 0.5 0 0.5 Selective dynamics Direct 0.00 0.00 0.00 T T T 0.25 0.25 0.25 T T T 赝势文件 POTCAR ，选用 PAW-GGA 中的 PBE 势 四个输入文件准备就绪后，键盘输入 qsub vasp.pbs 命令， 就可运行 V ASP 。 经过静态自洽计算，我们可以得到自洽 后的电荷密度文件 CHGCAR 和波函数分布文件 WA VECAR (2) 接着进行硅能带结构的计算 INCAR 文件中的一些设置需要改动： ISTART=1 ! 接着计算 ICHARG=11 ！保持静态自洽计算得到的电荷密 度和波函数不变 LCHARG=.FALSE. ！不写电荷密度 LWA VE=.FALSE. ！不写波函数 实验步骤 更改 KPOINTS 文件，在倒空间中采用线性撒点模式，选取 一些高对称点： k-points along high symmetry lines 10 Line-mode rec 0 0 0 ！ gamma 点 0.5 0.5 0.5 ！ L 点 0 0 0 ! gamma 点 0.5 0.5 0 ! K 点 准备