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中山学院 -集成电路工艺基础 --A试题卷 ———————————————————————————————— 作者： ———————————————————————————————— 日期： 2 电子科技大学中山学院考试试题卷 课程名称: 集成电路工艺基础 试卷类型： A 卷 201 0 —201 1 学年第 2 学期 期末 考试 考试方式： 闭卷 拟题人： 文毅 日期： 2011-6-1 审 题 人： 学 院： 电子信息学院 班 级： 学 号： 姓 名： 注意事项：1.答案一律做在答题卷上。 2.请写上班级、学号和姓名。 题 一、单项选择题（共 15小题，每题 2分，共 30分） 答 1．二氧化硅薄膜在半导体器件生产上的应用有（D） 止 ⑴ 对杂质的掩蔽作用 禁 ⑵ 对器件表面的保护和钝化作用 内 ⑶ 用于器件的电绝缘和电隔离 ⑷ 作为电容器的介质材料 线 ⑸ 作为 MOS场效应晶体管的绝缘栅材料 订 A．⑴⑵ B. ⑴⑵⑶ C. ⑴⑵⑷⑸ D. ⑴⑵⑶⑷⑸ 装 2. 在 SiO 内和Si-SiO 界面中存在的电荷包括（C） 2 2 ⑴可动离子电荷 ⑵界面陷阱电荷 ⑶氧化层固定电荷 ⑷ 氧化层陷阱电荷 A．⑴⑵⑷ B. ⑴⑶⑷ C. ⑴⑵⑶⑷ D. ⑵⑶⑷ 3. 离子注入掺杂纯度高，是因为（B） A. 杂质源的纯度高 B.注入离子是通过质量分析器选出来的 4. SiN 薄膜在集成电路中的应用主要有：⑴ 钝化膜 ⑵ 选择氧化 ⑶ 电容介质 3 4 由于氮化硅氧化速率极低，因此被用作（B）的掩蔽膜； A．⑴ B. ⑵ C. ⑶ D. ⑴⑵ 5. 热氧化过程中 Si 中杂质在Si-SiO 界面存在分凝现象，下图所示是（B）。 2 电子科技大学中山学院试卷 第 3 页，共 8 页 A．m1，杂质在SiO 中是慢扩散 B. m1，杂质在SiO 中是快扩散 2 2 C. m1，杂质在SiO 中是慢扩散 D. m1，杂质在SiO 中是快扩散 2 2 6. 硅平面制造工艺的硼、磷扩散都属于 A A. 替位式扩散 B.间隙式扩散 7. LPCVD 淀积多晶硅常用温度为 600-650℃，采用热分解法，反应方程式为：（B ） A．SiCl Si+2Cl B. SiH Si+2H 4 2 4 2