模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案.docxVIP

???????????????????????最新资料推荐??????????????????? 半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、 结构完整的半导体称为 本征半导体， 掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入 五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2． 在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在 N 型半导体中，空穴浓度 B 电子 浓度；在 P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （ A ．大于， B．小于， C．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关 系十分密切。 （ A ．温度， B．掺杂工艺， C．杂质浓度） 4. 当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当 PN 结外加反 向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （ A ．大于， B．小于， C．等于， D ．变宽， E．变窄， F 不变 ） 5． 二极管实际就是一个 PN 结， PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为 _B ，反向电流一般 _C_；普通小功率锗二 极管的正向导通压降约为 _A_ ，反向电流一般 _D_。 A ．0.1～ 0.3V ， B． 0.6～ 0.8V ， C．小于 1μA ， D ．大于 1μA ） 7. 已知某二极管在温度为 25℃时的伏安特性如图选择题7 中实线所示，在温度为T1 时的伏安特性如图中虚线所示。 在 25℃时， 该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电压 为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度 T1 小于25℃。（大于、小于、等于） i mA 30 25o C 20 T 1 10 150 10050 0 v / V 0.5 1 -0.001 -0.002 -0.003 图选择题 7 v 8． PN 结的特性方程是 i I S (eVT 1) 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号内画 √，错误的画 ×） 1 ???????????????????????最新资料推荐??????????????????? 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在 P 型半导体中， 掺入高浓度的五价磷元素可以改型为 N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电， N 型半导体带负电。 （ × ） 4． PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于 PN 结交界面两边存在电位差， 所以当把 PN 结两端短路时就有电流流过。 （ × ） 6．PN 结方程既描写了 PN 结的正向特性和反向特性， 又描写了 PN 结的反向击穿特性。 （ × ） 7． 稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在 正向导通状态（×） 。 习题 1.1 图题 1.1 各电路中， vi 5Sinωt(V ) ，忽略 D 的导通压降和死区电压， 画出各电路相应的输出电压波形。 vo D v i RL vo t o ( a ) D vo v i RL vo t 10V o ( b ) D vo v i RL vo t 10V o ( c ) 图题 1.1 解： （ a）图中， vi 0 时，二极管截止， vo=0； vi0 时，二极管导通， vo= vi。 vO V 2 t 0 5 （ b）图中，二极管导通， vo= vi +10。 2 ???????????????????????最新资料推荐??????????????????? vO V 15 10 5 2 t 0 c）图中，二极管截止， vo=0。 O V v O = 0 t 0 1.2 求图题 1.2 所示电路中流过二极管的电流 I D 和 A 点对地电压 VA 。设二极管的正向 导通电压为 0.7V 。 +10V +10V R 1 20k R 1 2k A I D A I D D D R2 10k R2 10k R 33k -6V -6V ( a ) ( b ) 图题 1.2 解：（ a） V A 6 0.7 V 5.3 I D 10 VA 0 VA 1.3mA R1 R2 （ b） 10 VA VA ( 6) VA 0.7 R1 R2 R3 得 VA 4.96V I D VA 0.7 R3 1.42mA 1.33电路如图题 1.3所示，已知 D1为锗二极管，其死区电压 Vth＝ 0.2V ，正向导通压降为 0.3V ； D2为硅二极管，其死区电压为 Vth＝0