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第八章 基本光刻工艺流程 - 表面准备到曝光 概述 最重要的光刻工艺是在晶圆表面建立图形。 这一章是从解释基本光刻工艺十步法和讨论光刻胶的化学性质开始的。 我们会按照顺序来介绍前四步 （表面准备到对准和曝光）的目的和执行方法。 目的 完成本章后您将能够： 1．勾画出基本的光刻工艺十步法制程的晶圆截面。 2．解释正胶和负胶对光的反应。 3．解释在晶圆表面建立空穴和凸起所需要的正确的光刻胶和掩膜版的极性。 4．列出基本光刻十步法每一步的主要工艺选项。 5．从目的 4 的列表中选出恰当的工艺来建立微米和亚微米的图形。 6．解释双重光刻，多层光刻胶工艺和平整化技术的工艺需求。 7．描述在小尺寸图形光刻过程中，防反射涂胶工艺和对比增强工艺的应用。 8．列出用于对准和曝光的光学方法和非光学方法。 9．比较每一种对准和曝光设备的优点。 介绍 光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上的所规定的特定区域的基本操作（图 8.1 ）。 Photolithography 是用来定义这个基本操作的术语。还有其它术语为 Photomasking, Masking, Oxide 或 者 Metal Removal （ OR,MR） 和 Microlithography 。 光刻工艺是半导体工艺过程中非常重要的一道工序， 它是用来在不同的器件 和电路表面上建立图形（水平的）工艺过程。这个工艺过程的目标有两个。首先 是在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形。 这个目标被称为晶 圆的分辨率（ resolution ）。图形尺寸被称为电路的特征图形尺寸 （feature size ）或是图像尺寸（ image size ）。 第 二 个 目 标 是 在 晶 圆 表 面 正 确 定 位 图 形 （ 称 为 Alignment 或 者 Registration ）。整个电路图形必须被正确地定位于晶圆表面， 电路图形上单独的每一部分之间的相对位置也必须是正确的（图 8.2 ）。请记住，最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层叠加建立起来的。 图形定位的的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确的对准。 很容易想象，如果 建筑物每一层和每一层不能很好地对准， 那么它会对电梯以及楼梯带来什么样的 影响。同样，在一个电路中， 如果每层和它的上一层不能很好地对准可能会导致整个电路的失效。 因为在光刻蚀工艺过程中的每一步都会有变异， 所以对特征图形尺寸和缺陷水平的控制是很难的。 光刻的过程是一个权衡的过程 （请看光刻工艺每一步的介绍）。除了对特征图形尺寸和图形对准的控制， 在工艺过程中的缺陷水平的控制同样也是非常重要的。 光刻操作步骤的数目之多和光刻工艺层的数量之大可以看出光刻工艺在半导体工艺过程中是一个主要的缺陷来源。 图 8.1 基本光刻工艺 Wafer 晶圆 Surface layer Patterned layer  表面层 图形层 8.2 五层掩膜的硅栅二极管 Gate mask 栅掩膜 Well mask 阱掩膜 Contact mask 接触掩膜 Metal mask 金属掩膜 Pad mask PAD 掩膜 光刻蚀工艺概述 光刻蚀工艺是和照相、 蜡纸印刷比较接近的一种多步骤的图形转移过程。 首先是在掩膜版上形成所需要的图形， 之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶圆表面的每一层。 图形转移是通过两步来完成的。首先，图形被转移到光刻胶层（图 8.3 ）。光刻胶是和正常胶卷上所涂的物质比较相似的一种感光物质。 曝光后会导致它自身性质和结构的变化。 如图 8.3 所示，光刻胶被曝光的部分由可溶性物质变成了非 溶 性 物 质 。 这 种 光 刻 胶 类 型 被 称 为负 胶 ， 这 种化 学变 化 称为 聚合 polymerization ）。通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，在光刻胶层就会留下一个孔，这个孔就是和掩膜版不透光的部分相对应的。 8.3 第一次图形转移－掩膜 / 图形到光刻胶层 Process Step 工艺步骤 Purpose 目的 Alignment and exposure 对准和曝光 （目的是掩膜版和图形在晶圆上的精 确对准，和光刻胶的曝光。负胶是聚合的） Development 显影 （目的是去除非聚合的光刻胶） Mask/Reticle 掩膜 / 图形 Resist 光刻胶 Oxide layer 氧化层 Wafer 晶圆 第二次图形转移是从光刻胶层到晶圆层（图 8.4 ）。当刻蚀剂把晶圆表面没有被光刻胶盖住的部分去掉的时候， 图形转移就发生了。 光刻胶的化学性决定了它不会 在化 学刻 蚀溶 剂 中溶 解或 是慢 慢溶解 ；它们 是抗 刻蚀 的（ etch resistant ），因此它们称作