第五讲 半导体和超导体.ppt

* 第五讲 材料电性能 — 半导体和超导体 导体、半导体、绝缘体的分类。 5.1 半导体 Ⅲ—V族，Ⅱ—Ⅳ族，Ⅳ—Ⅳ族和氧化物半导体。 禁带宽度ΔE从金刚石的6eV到灰锡(β-Sn)的0.08eV依次变窄。 常温下的白锡(α-Sn)已是金属，最后一个元素铅则纯粹是金属。 导电机理不同： (1) 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 (2) 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 5.1.1 本征半导体 Ge Si 图5.1 锗和硅电子结构示意图 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 由于外部作用而改变半导体固有性质的半导体称为非本征半导体，也称为杂质半导体。 图5.2 硅和锗的晶体结构示意图 图5.3 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子。 本征半导体的导电能力很弱。 5.1.2 本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 图5.4 本征激发示意图 浓度表达式为： T为绝对温度； 式中: ni, pi分别为自由电子和空穴的浓度； K1为常数，其数值为4.82×1015 K-3/2 ； k为玻尔兹曼常数; Eg为禁带宽度。 随着T增加，ni, pi显著增大。 T=300K，硅的Eg =1.14 eV，ni=pi=1.5×1010cm-3; 锗的Eg=0.67 eV, ni=pi=2.4×1013cm-3。 在外电场的作用下，载流子有定向的漂移运动，产生电流。 自由电子和空穴的定向平均漂移速度分别为： 式中，比例常数μn 和μp分别表示在单位场强(V/cm)下自由电子和空穴的平均漂移速度，称为迁移率。 自由电子的迁移率μn 空穴的迁移率μp ； 室温下: 本征锗单晶中: 本征硅单晶中: 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流in。 2. 空穴移动产生的电流ip。 式中，jn 、jp 分别为自由电子和空穴的电流密度；q 为电子电荷量的绝对值。相应的电阻率为： 300K (室温)时： 本征锗单晶体 本征硅单晶体 本征半导体的电学特性 (1)本征激发成对地产生自由电子和空穴，所以自由电子浓度与空穴浓度相等，都是等于本征载流子的浓度ni。 (2)禁带宽度Eg越大，载流子浓度ni越小。 (3)温度升高时载流子浓度ni增大。 (4)载流子浓度ni与原子密度相比是极小的，所以本征半导体的导电能力很微弱。 5.1.3 杂质半导体 N 型半导体； P 型半导体。 5.1.3.1 N型半导体 +4 +4 +5 +4 多余电子 磷原子 图5.5 N型半导体电子结构示意图 导带 价带 EC ED Ei EV Donor ions EC-ED Eg 锗中掺磷：0.012eV 硅中掺锑：0.039 eV 硅中掺砷：0.049 eV 图5.6 施主能级示意图 多数载流子：自由电子，1.5×1014cm-3。 少数载流子：空穴，1.5×106cm-3。 电子型半导体与n型杂质 n型半导体的电流密度： nno为n型半导体自由电子的浓度， μn 电子迁移率。 ND 为n型半导体的掺杂浓度。 如在n型硅半导体中， 设ND =1.5×1014cm-3， 当μn =1400 cm2／(V·s)时， 本征硅半导体：ρ=2.14×10-3?·m (ρ=2.14×105 μ?·cm) ρn =30μ?·cm， 导电能力增强七千倍。 5.1.3.2 P型半导体 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 空穴 图5.7 P型半导体电子结构示意图 导带 价带 EC Ei EV Acceptor ions EA-EV Eg EA 硅中掺镓:0.065eV 硅中掺铟: 0.16eV 锗中掺硼或铝:0.01eV 图5.8 受主能级示意图 多数载流子：空穴。 少数载流子：自由电子。 空穴型半导体与p型杂质。 npo 为p型半导体的空穴浓度 P型半导体的电阻率： P型半导体的电流密度： NA为受主杂质浓度 5.1.4 杂质半导体的特性 (1) 掺杂浓度与原子密度相比虽很微小，但是却能使载流子浓度极大地提高，因而导电能力也显著地增强。掺杂浓度愈大，其导电能力也愈强。 (2) 掺杂只是使一种载流子的浓度增加，因此杂质半导体主要靠多子导电。当掺入五价元素(施主杂质)时，主要靠自由电子导电；当掺入三价元素(受主杂质)时，主要靠空穴导电。 5.1.5 温度对半导体电阻的影响 1. 点阵振动的声子散射 2. 电离杂质散射 T 低温区 饱和区 本征区 图 5.9 N型半导体电阻率随温度变