实验一：四探针法测半导体电阻率.pdfVIP

实验一：四探针法测量半导体电阻率 1、实验目的 （1）熟悉四探针法测量半导体或金属材料电阻率的原理 （2）掌握四探针法测量半导体或金属材料电阻率的方法 2、实验仪器 XXXX 型数字式四探针测试仪； XXXX 型便携式四探针测试仪；硅单晶； 3、实验原理 半导体材料是现代高新技术中的重要材料之一，已在微电子器件和光电子 器件中得到了广泛应用。 半导体材料的电阻率是半导体材料的的一个重要特性， 是研究开发与实际生产应用中经常需要测量的物理参数之一，对半导体或金属 材料电阻率的测量具有重要的实际意义。 直流四探针法主要用于半导体材料或金属材料等低电阻率的测量。所用的 仪器示意图以及与样品的接线图如图 1 所示。由图 1(a)可见，测试过程中四根金 属探针与样品表面接触，外侧 1 和 4 两根为通电流探针，内侧 2 和 3 两根是测 电压探针。由恒流源经 1 和 4 两根探针输入小电流使样品内部产生压降，同时 用高阻抗的静电计、电子毫伏计或数字电压表测出其它两根探针（探针 2 和探 针 3 ）之间的电压 V 23 。 图 1 四探针法电阻率测量原理示意图 若一块电阻率为 的均匀半导体样品，其几何尺寸相对探针间距来说可以 看作半无限大。 当探针引入的点电流源的电流为 I ，由于均匀导体内恒定电场的 等位面为球面，则在半径为 r 处等位面的面积为 2 r 2 ，电流密度为 2 j I / 2 r （1） 根据电流密度与电导率的关系 j E 可得 j I I E 2 2 （2 ） 2 r 2 r 距离点电荷 r 处的电势为 I V （3 ） 2 r 半导体内各点的电势应为四个探针在该点所形成电势的矢量和。通过数学 推导，四探针法测量电阻率的公式可表示为 1 1 1 1 1 V23 V23 2 ( ) C （4 ） r r r r I I 12 24 13 34 1 1 1 1 1 式中， C 2 ( ) 为探针系数，与探针间距有关，单位为 cm。 r r r r 12 24 13 34 若四探针在同一直线上，如图 1(a)所示， 当其探针间距均为 S 时，则被测样 品的电阻率为 1 1 1 1 1 V23 V23