TFT-LCD制造技术-Array 工艺.ppt

. 3. Wall性P/T Wall性P/T为沉积产物落在基板上,Wall性P/T经常会引起DGS或I/O等不良 Spec: =5ea/glass Wall性P/T Bubble 4. Bubble SiH4的流量不稳时或a-Si/N+进行Redep时,Bubble容易产生 Bubble会引起Pixel Defect, Bubble发生时对Glass进行Scrap处理 1.2.2 PECVD 工艺 1.2.3 PECVD设备 PECVD设备主要由主设备和辅助设备构成,它是立体布局,主设备和辅助 设备不在同一层. (一) ACLS ACLS(Automatic Cassette Load Station)是主要放置Cassette的地方. 1.2.3 PECVD设备 3个Cassette Stage Laminar Flow Hood： Class 10 Light Curtain(红外线) 设备状态指示器 Atm 机器手: 真空状态的设备内部与外面的大气压间进行转换的Chamber,通过Cassette向Loadlock Ch.传送时,首先使用N2气使其由真空转变为大气压,传送结束后,使用Dry泵使其由大气压转变为真空,而且对沉积完成的热的Glass进行冷却,为减少P/T(Particle)的产生,在进行抽真空/Vent时使用Slow方式 (二) Loadlock Chamber 1.2.3 PECVD设备 基础真空:500mTorr以下 两个Loadlock Ch.公用一个 Pump 升降台:由导轨和丝杠构成,通 过直流步进电机进行驱动 (三) X-Fer Chamber 1.2.3 PECVD设备 X-Fer Chamber又称Transfer Chamber,主要起传输的作用 基础真空:500mTorr以下 Slit阀(共7个) 真空机器手(Vacuum Robot): 为3轴(R,T,Z) 各Chamber前有判断基板有/无 的Sensor(共7个) (四) Heat Chamber 在Heat Ch.中对Glass进行Preheating处理后传送到Process Chamber 基础真空:500mTorr以下 温度控制:最大可加热到400℃ 由8个Shelf构成,并通过各Shelf对温度进行控制,Shelf上的电阻是通过印刷方式完成的,均匀性要比电阻丝方式好 Body为不锈钢 1.2.3 PECVD设备 (五) Process Chamber 1.2.3 PECVD设备 GAS IN Plasma GAS OUT Glass ~ RF Power 13.56MHz SiH4,NH3 PH3等 4EA GND Diffuser Susceptor ~ (六) Main Frame Control Rack 设备的控制器 Electrical Signal的分配 Mainframe AC Power的分配 提供DC(±5V,±12V,±15V,±24V)电源 X-Fer,Heat,Loadlock,ACLS的VME控制器 1.2.3 PECVD设备 G A S G A S Gas Cabinet (Bottle) 2次Regulator Chamber MFC Manual Valve B D A C Gas Panel 有毒/危险气体 无毒/危险气体 SiH4(Silane) N2 PH3(Phosphine) CDA NH3(Ammonia) He NF3 H2 Toxic Room 中央供给 1次Regulator Gas 的种类 (七) 气体供应系统 气体供应示意图 1.2.3 PECVD设备 在成膜过程中,不仅会沉积到Glass上而且会沉积到Chamber的 内壁,因此需对Chamber进行定期的Dry 清洗,否则会对沉积进 行污染 PECVD P/Chamber内部清洗使用Dry Cleaning方式,把从外面 形成的F- 通入Chamber内并通过F 与Chamber内的Film物质反 应使其由固体变成气体. (八) RPSC系统 1.2.3 PECVD设备 Dry Clean的原理 Dry Clean主要采用Remote Clean方式进行清洗 NF3 → F F + Si,SiNx,SiO2,.. SiF4(↑) + Other Gases(↑) Pumping Out - - 1.2.3 PECVD设备 CHAMBER Throttle Valve Dry Pump Scrubber Trap Filter Exh