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实用标准文案 半导体物理与器件公式以及参数 SI 材料的禁带宽度为：1.12ev. 硅材料的 Ge 材料的 GaAs 材料的 介电弛豫时间函数：瞬间给半导体某一表面增加某种载流子，最终达 到电中性的时间，ρ ρ τ ，其中τ ，最终通过证 σ 明这个时间与普通载流子的寿命时间相比十分的短暂，由此就可以证 明准电中性的条件。 热平衡状态下半导体的费米能级， 本征半导体的费米能级，重 新定义的 是存在过剩载流子时的准费米能级。 准费米能级：半导体中存在过剩载流子，则半导体就不会处于热平衡 状态，费米能级就会发生变化，定义准费米能级。 用这两组公式求解问题。 通过计算可知，电子的准费米能级高于 ，空穴的准费米能级低于 ， 对于多子来讲，由于载流子浓度变化不大，所以准费米能级基本靠近 热平衡态下的费米能级，但是对于少子来讲，少子浓度发生了很大的 变化，所以费米能级有相对比较大的变化，由于注入过剩载流子，所 以导致各自的准费米能级都靠近各自的价带。 精彩文档 实用标准文案 过剩载流子的寿命： 半导体材料：半导体材料多是单晶材料，单晶材料的电学特性不仅和 化学组成相关而且还与原子排列有关系。半导体基本分为两类，元素 半导体材料和化合物半导体材料。 GaAs主要用于光学器件或者是高速器件。 固体的类型：无定型（个别原子或分子尺度内有序）、单晶（许多原 子或分子的尺度上有序）、多晶（整个范围内都有很好的周期性），单 晶的区域成为晶粒，晶界将各个晶粒分开，并且晶界会导致半导体材 料的电学特性衰退。 空间晶格：晶格是指晶体中这种原子的周期性排列，晶胞就是可以复 制出整个晶体的一小部分晶体，晶胞的结构可能会有很多种。原胞就 是可以通过重复排列形成晶体的最小晶胞。三维晶体中每一个等效的 格点都可以采用矢量表示为 ，其中矢量 ， ， 称为 晶格常数。晶体中三种结构，简立方、体心立方、面心立方。 每晶胞的原子数 原子体密度 每晶胞的体积 米勒指数，对所在平面的截距取倒数在进行通分，所有平行平面的米 精彩文档 实用标准文案 勒指数相等，平面集的计算方式。 每个晶面的原子数 原子面密度 每个晶面的面积 晶向表示的是某条射线的方向，在简立方体重相同数值的米勒指数的 晶向和晶面是相互垂直的。 金刚石结构：Ge和硅具有金刚石结构，一个原子周围通过共价键和 其余的四个原子相连接。金刚石结构指的是由同种原子组成的结构， 金刚石总共有8个原子，6个面心原子，四个晶体内部的原子。金刚 石的体积是 . 原子共价键：热平衡系统的总能量趋于达到某个最小值，原子间的相 互作用力以及所能达到的最小能量取决与原子团或原子类型。四种原 子间离子键、共价键、金属键、范德华键（HF正负电荷的有效中心 不再统一点，最终形成电偶极子，相邻的电偶极子之间相互作用）。 量子力学的基本原理：能量量子化原理（实验结果是发射出来的光子 的能量随着入射频率变化进行线性变化，光强改变没办法改变射出光 子的最大动能而只会改变粒子射出的概率 μ ）、波 λ 粒二象性原理（光子的动量 ，所以我们就可以假设物质波的存 λ 在并且其波