化学分析与操作训练 任务四 影响沉淀纯度的主要因素 任务四 影响沉淀纯度的主要因素.pptVIP

项目六 称量分析法和沉淀滴定法 任务一 称量分析法概述 任务二 沉淀的溶解度及其影响因素 任务三 沉淀的类型和沉淀的形成过程 任务四 影响沉淀纯度的主要因素 任务五 沉淀条件的选择 任务六 称量分析中的换算因数及计算 任务七 沉淀滴定法及应用 任务四 影响沉淀纯度的主要因素 在称量分析中，要求获得的沉淀是纯净的。但是，沉淀是从溶液中析出的，总会或多或少地夹杂溶液中的其他组分。因此，必须了解沉淀生成过程中混入杂质的各种情况，找出减少杂质混入的方法，以获得符合称量分析要求的沉淀。 在进行沉淀反应时，某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象,叫做共沉淀现象。产生共沉淀现象的原因是由于表面吸附、生成混晶和吸留所造成。其中主要的是表面吸附。 一、共沉淀现象 表面吸附是在沉淀的表面上吸附了杂质。产生这种现象的原因，是由于晶体表面上离子电荷的不完全等衡所引起的。 例如在测定含有Ba2+、Fe3+溶液中的Ba2+时，加入沉淀剂稀H2SO4，则生成BaSO4晶形沉淀。 从静电引力的作用来说，在溶液中任何带相反电荷的离子都同样有被吸附的可能性。表面吸附是有选择性的。 1.表面吸附 吸附层吸附的选择性是：构晶离子首先被吸附，其次，是与构晶离子大小相近，电荷相同的离子容易被吸附。 扩散层吸附的选择性是：离子的价数越高越容易被吸附,与构晶离子生成难溶化合物或离解度较小的化合物的离子也容易被吸附。 吸附杂质量的多少，还与下列因素有关： 沉淀的总表面积 杂质离子的浓度 溶液的温度 如果杂质离子与构晶离子的半径相近，电子层结构相同，而且所形成的晶体结构也相同，则它们能生成混晶体。 常见的混晶有BaSO4和PbSO4，AgC1和AgBr，MgNH4PO4·6H2O和MgNH4AsO4·6H2O等。 用洗涤或陈化的方法净化沉淀，效果不显著。为避免混晶的生成，最好事先先将这类杂质分离除去。 2.生成混晶 在沉淀过程中，当沉淀剂的浓度比较大、加入比较快时沉淀迅速长大，则先被吸附在沉淀表面的杂质离子来不及离开沉淀，于是就陷入沉淀晶体内部，这种现象称为吸留。 如留在沉淀内部的是母液，则称为包夹。这种现象造成的沉淀不纯是无法洗去的，因此，在进行沉淀时应尽量避免此种现象的发生。 3.吸留和包夹 溶液中某些组分析出沉淀之后，另一种本来难以析出沉淀的组分，在该沉淀表面继续析出沉淀的现象，称为后沉淀现象。 二、后沉淀现象 在含有Cu2+、Zn2+等离子的酸性溶液中，通入H2S时最初得到的CuS沉淀中并不夹杂ZnS。但是如果沉淀与溶液长时间地接触、则由于CuS沉淀表面上从溶液中吸附了S2-，而使沉淀表面上S2-浓度大大增加，致使S2-浓度与Zn2+浓度的乘积大于ZnS的溶度积常数，于是在CuS沉淀的表面上，就析出ZnS沉淀。 后沉淀所引入的杂质量比共沉淀要多，且随着沉淀放置时间的延长而增多。因此为防止后沉淀现象的发生，某些沉淀的陈化时间不宜过久。 1. 选择适当的分析步骤 2. 选择适当的沉淀剂 3. 改变杂质的存在形式以降低其浓度 4. 改善沉淀条件 5. 进行再沉淀 6. 选择适当的洗涤剂进行洗涤 7. 及时进行过滤分离，以减少后沉淀 三、提高沉淀纯度的措施 Thank You! 单击此处编辑母版标题样式 单击此处编辑母版标题样式 化学分析与操作训练 主讲教师:张月花 单击此处编辑母版标题样式 单击此处编辑母版标题样式 化学分析与操作训练 主讲教师:张月花