电沉积法制备CIGS薄膜电池工艺研究项目申请书.docxVIP

1 / 6 一、项目背景及研究意义 进入 21 世纪，随着化石燃料的消耗进一步加剧，有限的化石能源储量与大量的能源需求之间的矛盾日益加剧。太阳能作为一种清洁，可再生的一次能源，得到了人们的关注与研究。太阳能电池技术正是在这种情况下，作为一种有效利用太阳能的手段而出现并发展起来的。 太阳能电池是通过 光电效应 或者光化学效应直接把光能转化成 电能的装置。根据材料的不同，太阳能电池可以分为： 1、晶体硅太阳能电池； 2、硅基薄膜太阳能电池； 3、化合物半导体薄膜太阳能电池 4 纳米薄膜太阳能电池。 不论以何种要求来制作太阳能电池， 对太阳能电池材料的一般要求有： 1、半导体材料的禁带不能太宽； 2、要有较高的光电转换效率； 3、材料本身对环境不造成污染； 4、材料便于工业生产且材料性能稳定。 在传统太阳能电池材料中， 单晶硅 太阳能电池转换效率最高， 技术也最为成熟 ,电池转化效率可达 23%。由于单晶硅太阳能电池的高转换效率， 其在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位，但由于受单晶硅材料价格及相应的繁琐的电池工艺影响， 致使单晶硅成本价格居高不下，要想大幅度降低其成本是非常困难的。 为了节省高质量材料， 寻找单晶硅电池的替代产品，薄膜太阳能电池日益得到重视与发展。 薄膜太阳能电池的出现很早， 但由于光电转换效率低、 衰减率（光致衰退率） 较高等问题，前些年未引起业界的足够关注，市场占有率很低。随着其技术的不断进步，光电转换效率得到 迅速提高，虽然仍然与晶体硅电池相比有很大差距，但其用料少、工艺简单、能耗低，成本有一定优势，越来越被业界所接受。 近年来一种既具有高转化效率，又具有比较低的制作成本，的化合物薄膜电池材料得到了 研究和应用，这种电池就是以铜铟镓硒为吸收层的薄膜太阳能电池，简称为 CIGS 电池。其典型结构为 :Glass/Mo/CIGS/ZnS/ZnO/ZAO/MgF2 。 CIGS 电池具有性能稳定、抗辐射能力强等优势，转化率接近于晶体硅太阳能电池的转换 效率，成本却是其 1/3。相对于已有的硅薄膜太阳能电池， CIGS 还具有一下有点： 1、CIGS 的 薄膜晶体结构和化学键更稳定，而且未发现光致衰退效应，因而其寿命更长； 2、CIGS 可以在 玻璃基板上形成缺陷少，高品质的大晶粒，而且 CIGS 在薄膜太阳能电池的制作过程中不存在 污染性化学物质。正是因为性能优异， CIGS 电池被国际上称为下一代的廉价太阳能电池，具有广阔的市场前景。 目前， CIGS 的制备方法主要为真空蒸发法、溅射法和电沉积法。真空蒸发法较为传统的方法，在制作过程中能有效的控制薄膜成分。电沉积法是一种低温沉积法，且是一种最具有潜力的低成本制备 CIGS 先驱薄膜的方法，在制备过程中可以有效控制薄膜厚度、化学组结构及孔隙率，而且设备投资少、原材料利用率高、工艺简单、易于操，但要通过该方法制备理想的 具有复杂组成的薄膜材料较为困难。溅射法一般通过溅射 CuIn 和 CuGa 合金薄膜预制层，然 后硒化制得。 目前一些发达国家对 CIGS 薄膜太阳能电池已经非常重视，投入了大量资金进行研究，尤其是日本、美国、德国的研究水平已处于世界领先，并已经达到实际生产水平，且性能和品质 也在不断提高。美国可再生的能源实验室制备的小面积 CIGS 太阳能电池的最高光转化效率已 经达到 19.2%。日本昭和壳牌室友公司已经完成技术开发，并建设了 10-20MW 级生产线。中 国作为一个能源消耗大国，应该加快对 CIGS 薄膜太阳能电池的研究步伐，利用这一性能优越的太阳能电池材料，缓解能源压力，并降低太阳能电池制作和销毁过程中对环境的影响。 2 / 6 二、项目研究目标和研究内容 研究目标 采用低温电沉积制备出金属比率已确定的先驱体， 再在高温下对先驱体进行硒化或热处理，得到质量较高的 CIGS 薄膜电池。 探索最优化的 CIGS 薄膜电池的制备工艺参数，明确合成工艺参数对合成产物，电学性能的影响。 在制备 CIGS 薄膜的过程中， 探索 Ga 元素含量对电池的光电转化率的影响， 期望得到更高的光电转化率。 研究内容 在水溶液中电沉积法制备 Cu-In-Ga-Se 前驱体薄膜的电化学过程进行 分析 。 2. 通过 XRD 分析不同沉积电压、络合剂柠檬酸钠浓度、离子配比浓度对电沉积 Cu-In-Ga-Se 前驱体薄膜的影响。 总结其影响规律为电沉积参数调整提供依据，设计沉积参数，以柠檬酸钠为络合剂制备 Cu-In-Ga-Se 前驱体薄膜。 利用 XRD ，SEM，EDAX 等微观分析手段，对 CIGS 薄膜的结构，组成，表面形貌进行分析． 3 / 6 三、项目研究的实施方案及拟采取的研究方法和技术路线 研究方法 钼和不锈钢薄片的表面处理其表面处理过程如下： C