纳米材料的制备方法及其原理[借鉴].pptVIP

第二部分 一维纳米材料的合成 * 方法汇编·实用借鉴 一维纳米材料是指在一维方向上为纳米尺度，长度比其他二维方向上的尺度大得多，甚至为宏观量的纳米材料。主要包括： 纳米纤维(nanofiber)一般长径比10：包括纳米丝(nanofilament),纳米线(nanowire)和纳米晶须(nanowhisker) ; 纳米棒(nanorod):细棒状结构，一般长径比10; 纳米电缆(nanocable)以及同轴纳米线(coaxial nanowire)：纳米线外包覆有一层或多层不同结构物质的纳米结构; 纳米管(nanotube)：细长形状并具有空心结构，即细管状结构; 纳米带(nanobelt-nanoribbon)：细长条带状纳米结构，长宽比10，一般宽厚比3。 一维纳米材料的定义 * 方法汇编·实用借鉴 被引用次数TOP10的有关一维纳米材料合成的文章 Alfredo M. Morales and Charles M. Lieber, A Laser Ablation Method for the Synthesis of Crystalline Semiconductor Nanowires, Science 279, 208 (1998); Michael H. Huang, Yiying Wu, Henning Feick, Ngan Tran, Eicke Weber, and Peidong Yang, Catalytic Growth of Zinc Oxide Nanowires by Vapor Transport, Adv. Mater. 2001, 13(2), 113-116 Jiangtao Hu, Teri Wang Odom and Charlies M. Lieber, Chemistry and Physics in One Dimension: Synthesis and Properties of Nanowires and Nanotubes, Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435-445 Xiangfeng Duan, Yu Huang, Yi Cui, Jianfang Wang, Indium phosphide nanowires as building blocks for nanoscale electronic and optoelectronic devices Charles M. Lieber*3, NATURE, 2001, 409, 66-69 * 方法汇编·实用借鉴 临界过饱和度与临界核半径的关系: 其中：Pr和Pe分别为半径为r的微滴的表面蒸气压和平衡蒸气压，而Pr/Pe为过饱和度；σ为一个核的比表面能；Vm为凝聚温度下该物种的分子体积。 该式定性地指出，过饱和度越高，形成的晶核尺寸越小。 * 方法汇编·实用借鉴 (2) 异相成核 在固体表面上的气相淀积成核称为异相成核。 固体表面的存在可以大大降低成核自由能。 如：衬底的存在降低了成核作用的活化能，从而降低了开始成核生长的临界过饱和度。 衬底或生长面的缺陷位置含有大量晶格棱阶、弯结，与成晶粒子有较高的结合能，从而降低了成核自由能。 晶格缺陷是表面成核的有效活化中心，当过饱和度较小时这种效应特别明显。 * 方法汇编·实用借鉴 晶体的成核和生长过程强烈地受晶体结构的影响。经典的晶体生长理论如图。 对于不完善的晶面取向，存在各种形式的原子位置，高能原子位置的浓度愈高，表面能就愈大，与其它原子结合的活性也愈高。 D、晶体生长 每一个小方格代表一个原子或一个晶胞。 * 方法汇编·实用借鉴 原子级平坦的晶面，如简单立方结构的(001)面,在理想情况下不呈现任何台阶，这种面称为奇异面或平整面。 与低指数面成一小角度的晶面由台地、棱阶和弯结所组成。随着交角的增大，台阶的浓度也增大，而台地宽度相应减小，这些面称为非奇异面(或粗糙面)。 * 方法汇编·实用借鉴 层生长理论 layer growth --Kossel-Stranski-Volmer(简称KSV)二维成核理论 质点优先进入顺序： （1）1 ＞ 2 ＞ 3 （2）质点 行列 面网 （3）层层向外 三面凹角 二面凹角 一般位置 晶体生长的二个重要理论：层生长理论和螺旋生长理论 KSV理论的基本思想是：在棱阶的弯结位置上结合能最高，因而到达生长表面的附加原子的最佳结合位置是棱阶的弯结处。 处于这种位置上的附加原子只受到两个最近邻原子的吸引，所以需要较低的过饱和度。 * 方法汇编·实用借鉴 当完成一个单层生长后，再开始生长另一个新的生长层则需要表面成核，而且要更高的过饱和度。 * 方法汇编·实用借鉴 螺旋生长理论：