电子工技术基础知识.pdfVIP

二、电子工技术基础 (一)半导体器件 1、半导体 半导体器件是电子技术的重要组成部分。半导体是 指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料。硅、锗、硒 及大多数金属氧化物和硫化物都属于半导体材料。其中， 硅和锗是用得最多的半导体材料。 半导体的的导电能力受多种因素的影响。例如： •温度升高——导电能力提高——制作热敏元件 •照度增大——导电能力提高——制作光敏元件 •杂质含量增加——导电能力提高——制作实用半导 体器件 (1)本征半导体 本征半导体是由单一元素组成的半导体，如硅、锗。 当原子最外层有8个电子时，处于相对稳定的状态。硅原子和 锗原子的最外层都是只有4个电子，为了保持稳定，相邻原子共用 最外层电子形成共价键结构。 受到某种能量的激发时， 共价键中的电子挣脱出来形 成自由电子，并在原来的共 价键结构中留下一个空穴。 自由电子带负电，带有空穴 的原子带正电。自由电子和 空穴称为载流子。 在半导体材料加上电压时，自由电子挤走邻近原子中的电子形 成电子电流，空穴吸引邻近原子中的电子来填补空穴形成空穴电 流。电流很小，属于漂移电流。 (2)N型半导体和P型半导体 本征半导体的导电能力很差。如在本征半导体中掺入微量其他 元素，则其导电能力大大提高。 掺入少量5价的磷，则在稳定的 掺入少量3价的硼，则在稳定的 共价键外多出一个电子。这个电子 共价键外多出一个空穴。这个空穴 很容易受到激发成为自由电子，并 很容易吸引邻近原子的电子而构成 在原地留下一个正离子。 负离子，并产生一个新的空穴。 电子为多数载流子，称之为电子 空穴为多数载流子，称之为空穴 半导体或N 型半导体。 半导体或P型半导体。 2、PN结及其单相导电性 (1) PN结形成 多数载流子扩散，产生扩散电流(正向电 流) ，形成空间电荷区和内电场。 内电场使电荷回流并阻止扩散，平衡时 形成耗尽区(阻挡层) ，并取得动态平衡。 (2) PN结单相导电性 正向偏置：阻挡层变薄，内电场减弱， 反向偏置：阻挡层变厚，内电场增 扩散电流增大(含电子电流和空穴电 强，阻挡扩散电流，少数载流子漂 流，亦含少数载流子的电流) ，低阻 移电流增大，高阻状态，截止。 状态，导通。 3、半导体二极管 (1)结构 一个PN结+两条引线+密封管壳。 点接触型：多锗管；功率小、结电容小、高频性能好；多用作开关元件。 面接触型：多硅管；功率大、结电容大、工作频率低；多用作整流元件。 (2)伏安特性 •正偏：起始部分电流几乎为 零；当正向电压超过死区电 压(锗管约0.1V、硅管约0.5V) 时，二极管开始导通，电流 急剧增加，且电流与电压近 似成正比，伏安特性近似为 直线。导通区域称线性区， 是二极管正常工作的区域。 正常情况下，锗管的正向导 通压降为0.2~0.3V、硅管的为 0.6~0.7V 。 •反偏：在击穿范围内，反向电流极小，而且基本不变。此一反 向电流称为反向饱和电流。当反向电压超过击穿电压时，PN结 反向击穿，形成很大的反向电流。 (3)主要技术参数 •最大整流电流IM 二极管长时间工作时，允许流过的最大正 向平均电流，是受发热限制的电流。 •最大反向峰值电压U 二极管不被反向击穿所规定的反向 RM 工作峰值电压，约为反向击穿电压的1/31/2。点接触型约数十 伏、面接触形达数百伏。 •最大反向电流IRM 二极管施加最大反向峰值电压时的反电流。 硅管不超过数微安、锗管为数十至数百微安。 •电阻 直流电阻R= U/I大；交流电阻r=U/I 小。 (4)测试 应用万用表倍率100或1k欧姆档 黑笔接阳极、红笔接阴极，应为