霍尔效应实验报告霍尔效应仿真实验报告.pdfVIP

大 学 本(专)科实验报告 课程名称： 姓 名： 学 院： 系： 专 业： 年 级： 学 号： 指导教师： 成 绩： 年 月 日 1 （实验报告目录） 实验名称 一、实验目的和要求 二、实验原理 三、主要实验仪器 四、实验内容及实验数据记录 五、实验数据处理与分析 六、质疑、建议 2 霍尔效应实验 一．实验目的和要求： 1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数. 2、测绘霍尔元件的V − I ， 曲线了解霍尔电势差 与霍尔元件控制（工作） V − I V H s H M H I 电流 、励磁电流 之间的关系。 I s M 3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。 4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。 5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。 二．实验原理： 1、霍尔效应 霍尔效应是导电材料中的电流与 磁场相互作用而产生电动势的效应， z Y 从本质上讲，霍尔效应是运动的带电 粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引 x B 起的偏转。当带电粒子（电子或空穴） A 被约束在固体材料中，这种偏转就导 致在垂直电流和磁场的方向上产生正 fE 负电荷在不同侧的聚积，从而形成附 l V IS VH 加的横向电场。 fL 如右图（1）所示，磁场B 位于Z d B 的正向，与之垂直的半导体薄片上沿 L I X 正向通以电流 （称为控制电流或 s 图 1 工作电流），假设载流子为电子（N 型 I 半导体材料），它沿着与电流 相反的X 负向运动。 s f 由于洛伦兹力 的作用，电子即向图中虚线箭头所指的位于y 轴负方向的B 侧偏转， L 并使B 侧形成电子积累，而相对的A 侧形成正电荷积累。与此同时运动的电子还受到由于两 f