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超 超大规模集成电路与系统研究中心
CMOS Analog Design
Home work 1 Solution
By: 张涛（tomjerry@126.com ）
2007 年 3 月 18 日
作业内容：
一、书本上的习题
2.2
2.5 (a) 、(b)、(c)
2.6 (a) 、(b)
2.7
2.15
2.8
2.18
2.24
参考解答过程
2.2.
（1）对于NMOS ，工作在饱和区时，有：
1 W 2
ID unCOX (VGS VTH ) (1 VDS )
2 L
ID
Gm
VGS
W
= unCOX (VGS VTH ) (1 VDS )
L
= 2unCOX W (VGS VTH )ID (1 VDS )
L
2unCOX W (VGS VTH )ID （忽略沟长调制效应）
L
1
超 超大规模集成电路与系统研究中心
=3.66mA V
1
ro =20 k
ID
A= Gm ro =73.3
（2 ）对于PMOS ，公式基本同上
1 W 2
ID up COX (VGS VTH ) (1 VDS )
2 L
ID
Gm
VGS
W
= up COX (VGS VTH ) (1 VDS )
L
= 2up COX W (VGS VTH )ID (1 VDS )
L
2up COX W (VGS VTH )ID （忽略沟长调制效应）
L
=1.96mA V
1
ro =10 k
ID
A= Gm ro =19.6
2.5
a.若不考虑二级效应，则
1 W 2
IX ID unCOX (VGS VTH
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