热电阻传感器是利用导体的电阻随温度变化的特性.docxVIP

热电阻传感器是利用导体的电阻随温度变化的特性，对温度和温度有关的参数进行检测的装置。热电阻测温是基于金属导体的电阻值随温度的增加 而增加这一特性来进行温度测量的。 大多数热电阻在温度升高 1℃时电阻值将增加 0.4% ~ 0.6%。热电阻大都由纯金属材料制成，目前应用最多的是铂和铜，此外，现在已开始采用镍、锰和铑等材料制造热电阻。 热电阻传感器主要是利用电阻值随温度变化而变化这一特性来测量温度及与温度有关的参数。在温度检测精度要求比较高的场合，这种传感器比较适用。目前较为广泛的热电阻材料为铂、铜、镍等，它们具有电阻温度系数大、线性好、性能稳定、使用温度范围宽、加工容易等特点。用于 测量 - 200℃～ +500℃范围内的温度。并且随着科技的发展热电阻传感器的 测温范围也随着扩展，低温方面已成功地应用于 1 ~ 3K 的温度测量中， 高温方面也出现了多种用于 1000 ~ 1300 ℃的热电阻传感器。 光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个 PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照， PN结面积尽量做的大一些， 电极 面积尽量小些，而且 PN结的结深很浅，一 般小于 1 微米。 光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时，反向电流很 小（一般小于 0.1 微安），称为暗电流。当有光照时，携带能量的 光子 进 PN结后，把能量传给共价键上的束缚电子，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子 --- 空穴对，称为光生载流子。 它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载， 负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。 光敏二极管、光敏三极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二 极管和普通二极管一样具有一个 PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号 一般为 VD。光敏三极管除具有光电转换的功能外，还具有放大功能，在电路图中文字符号一般为 VT。光敏三极管因输入信号为光信号，所以通常只有集电极和发射极两个引脚线。同光敏二极管一样，光敏三极管外壳也有 一个透明窗口，以接收光线照射。 光敏 三极管 （ Phototransistor ）和普通三极管相似，也有 电流 （ Current ）放大作用，只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，同时也受光 辐射的控制。 通常基极不引出，但一些光敏三极管的基极有引出，用于 温 度补偿 （ Temperature compensation ）和附加控制等作用。 晶体三极管 ，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电 路的核心 元件 。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的 PN结，两个 PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区 1 和集电区，排列方式有 PNP和 NPN两种，如图从三个区引出相应的 电极 ， 分别为基极 b 发射极 e 和集电极 c 。 发射区和基区之间的 PN 结叫发射结，集电区和基区之间的 PN 结叫集 电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大， PNP型三极管发射区 发射 的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里； NPN型三极管 发射区 发射 的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头 向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是 PN结在 正向电压 下的导通方 向。硅晶体三极管和 锗晶体 三极管都有 PNP型和 NPN型两种类型。半导体 就像一个开关，可以通过导通与截止来控制电路。 反射式光电开关检测方法都反应比较快、高解析、精度度高、峰值波长 λ= 模式 灵敏度高易散热、无铅，使用寿命比较长，符合 RoHS 标准，是新一 代的绿色环保能源，而且可测参数多，它的结构也比较简单，形式灵活多样 反射式光电开关是包括一个红外发光二极管和硅光电晶体管，包裹并排在聚光光学轴在一个黑色的热塑性塑料外壳。光电晶体管不受辐射的红外发光二极管在正常情况下，当一个物体靠近时，辐射是由物体反射和光电接收更为接近的物体辐射 反射式光电开关应用非常的广泛主要应用于鼠标，打印机复印机，开关扫描仪软盘驱动器，非接触式开关直接板、感应洁具，感应水龙头，等红外线感应设备。 主要是由一种高热电系数的材料，如锆钛酸铅系陶瓷、钽酸锂、硫酸三甘钛等制成尺寸为 2*1mm的探测元件。在每个探测器内装入一个或两个探测元件，并将两个探测元件以反极性串联，以抑制由于自身温度升高而产生的干扰。由探测元件将探测并接收到的红外辐射转变成微弱的电压信号，经装在探头内的场效应管