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CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY 1．画出一50cm 长的单晶硅锭距离籽晶 10cm、20cm 、30cm、40cm 、45cm 时砷的掺杂分 布。（单晶硅锭从融体中拉出时，初始的掺杂浓度为 1017cm-3 ） 2 ．硅的晶格常数为5.43Å ．假设为一硬球模型： (a)计算硅原子的半径。 (b)确定硅原子的浓度为多少(单位为 cm-3)? (c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。 3 ．假设有一l0kg 的纯硅融体，当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时，希望得到0.01Ω·cm 的电阻率，则需要加总量是多少的硼去掺杂? 4 ．一直径200mm 、厚 1mm 的硅晶片，含有 5.41mg 的硼均匀分布在替代位置上，求： (a)硼的浓度为多少? (b)硼原子间的平均距离。 5 ．用于柴可拉斯基法的籽晶，通常先拉成一小直径(5.5mm)的狭窄颈以作为无位错生长 6 的开始。如果硅的临界屈服强度为2×10 g/cm2 ，试计算此籽晶可以支撑的200mm 直径单 晶硅锭的最大长度。 6 ．在利用柴可拉斯基法所生长的晶体中掺入硼原子，为何在尾端的硼原子浓度会比籽晶 端的浓度高? 7 ．为何晶片中心的杂质浓度会比晶片周围的大? 8．对柴可拉斯基技术，在k =0.05 时，画出 C /C 值的曲线。 0 s 0 9 ．利用悬浮区熔工艺来提纯一含有镓且浓度为5×1016cm-3 的单晶硅锭。一次悬浮区熔通 过，熔融带长度为 2cm ，则在离多远处镓的浓度会低于 5×1015cm-3 ？ 10．从式C / C  1 (1 k )ekx / L ，假设k =0.3 ，求在x/L=1 和 2 时，C /C 的值。 s 0 e s 0 11．如果用如右图所示的硅材料制造 + p -n 突变结二极管，试求用传统的方 法掺杂和用中子辐照硅的击穿电压改 变的百分比。 12．由图 10.10，若Cm=20 ％，在Tb 时，还剩下多少比例的液体? 13．用图 10.11 解释为何砷化镓液体总 会变成含镓比较多? 14．空隙n 的平衡浓度为Nexp[-E /(kT)] ， s s N 为半导体原子的浓度，而 E 为形成能 s 量。计算硅在 27 ℃、900℃和 1 200℃ 的n (假设 E =2.3eV) ． s s 15．假设弗兰克尔缺陷的形成能量(E ) f 为 1.1eV，计算在27 ℃、900℃时的缺陷密度．弗兰克尔缺陷的平衡密度是 Error! Reference source not found. 1 ，其中N 为硅原子的浓度(cm-3) ，N’为可用的间隙位置浓度(cm-3) ，可 表示为 N’=1×1027 cm-3 ． 16．在直径为300mm 的晶片上，可以放多少面积为400mm2 的芯片？解释你对芯片形 状和在周围有多少闲置面积的假设． 17．求在300K 时，空气分子的平均速率(空气相对分子质量为 29) ． 图 10.10. Phase diagram for the gallium- 图 10.11. Partial pressure of gallium and arsenic arsenic system. over gallium arsenide as a function of temperature. Also shown is the partial pressure of silicon. 18．淀积腔中蒸发源和晶片的距离为 15cm，估算当此距离为蒸发源分子的平均自由程的 10 ％时系统的气压为多少? 19．求在紧密堆积下(即每个原子和其他六个邻近原子相接) ，形成单原子层所需的每单位 面积原子数 N ．假设原子直径d 为 4.6