双极集成器件和电路设计.pptVIP

4.2 双极集成器件和电路设计;双极型晶体管等效电路模型;1.集电区电阻 在饱和状态下，集电区电阻的压降可能大于本征器件的饱和压降 降低集电区电阻的措施 2.基区电阻 由基区的扩散薄层形成 3.电容 发射结电容，集电极电容，衬底结电容 ;4.2.2 纵向结构设计 1.集电区材料的选择 两个参数：外延层掺杂浓度和外延层的厚度 外延层掺杂浓度对数字电路主要考虑对Rc的影响，对模拟电路主要考虑击穿电压的影响。 外延层的厚度由集电极结深xjs、集电结最大耗尽层宽度xmc、衬底结杂质反扩散深度决定。; 2.基区宽度Wb的选择 晶体管的基区宽度Wb是纵向结构中最重要的参数之一。基区的下限由集电极击穿电压伸入基区侧的集电结耗尽层宽度决定。XmbWb。 （1）大功率管，采用宽基区结构。 （2）超?晶体管用窄基区结构，可以用基区输运系数?*确定最大Wb值。 ;3.发射结结深和集电极结深 对于一般的双极集成电路： Xjc:2.5~3um, xje:1~2um 4.基区和发射区表面掺杂浓度 为了保证发射效率，要求发射区表面浓度应比基区表面浓度高两个数量级。 发射区表面浓度：5×1020/cm3 基区表面浓度：5×1018/cm3 ;横向结构设计就是根据器件参数指标要求，确定管芯的平面几何图形及其有关尺寸，即光刻版的图形结构设计。 1.发射极总周长的选择 考虑光刻精度、大电流时的发射极集边效应 2.集电