磁电霍尔式改.pptVIP

5　　磁电式传感器;二、结构类型;在传感器结构参数确定后，B、l、N、S均为定值，感应电动势e与线圈相对磁场的运动速度v成正比，所以这类传感器的基本形式是速度传感器，能直接测量线速度或角速度。由上述工作原理可知，磁电感应式传感器只适用于动态测量。; 之前学过的传感器可以通过改变或增加敏感元件的方法测量更多的物理参数：;三、测量电路;四、感应式传感器的应用 ;5.2 霍尔式传感器;一、　霍尔效应; 在洛仑兹力的作用下，电子向一侧偏转，使该侧形成负电荷的积累，另一侧则形成正电荷的积累。这样，这两端面因电荷积累而建立了一个电场Eh，称为霍尔电场。该电场对电子的作用力与洛仑兹力的方向相反，即阻止电荷的继续积累。当电场力与洛仑兹力相等时，达到动态平衡，这时有 eEh＝evB ;由上式可见： 1）霍尔电压UH与材料的性质有关。 材料的载流子浓度小，RH就大。金属的载流子浓度很大，所以产生的霍尔电势UH就极小，故不宜做成元件。在半导体材料中，由于电子的迁移率比空穴的大，即μnμp，所以霍尔元件一般采用N型半导体材料。 2）霍尔电压UH与元件的尺寸有关。 d愈小，kH愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d太小，会使元件的输入、输出电阻增加。 3）霍尔电压UH与控制电流及磁场强度有关。所以，它可以用于感应磁场强度和电流大小。;二、 霍尔