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实用标准 电池片生产工艺流程 一、制绒 目的 在硅片的表面形成坑凹状表面， 减少电池片的反射的太阳光， 增加二次反射的面积。一般情况下， 用碱处理是为了得到金字塔状绒面； 用酸处理是为了得到虫孔状绒面。不管是哪种绒面，都可以提高硅片的陷光作用。 流程 常规条件下，硅与单纯的 HF、 HNO3（硅表面会被钝化，二氧化硅与 HNO3 不反应）认为是不反应的。 但在两种混合酸的体系中， 硅则可以与溶液进行持续的反应。 硅的氧化 硝酸 / 亚硝酸（ HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚硝酸将硅氧化） Si+4HNO 3=SiO2+4NO2+2HO ( 慢反应 ) 3Si+4HNO 3=3SiO2+4NO+2HO ( 慢反应 ) 二氧化氮、一氧化氮与水反应， 生成亚硝酸， 亚硝酸很快地将硅氧化成二氧化硅。 2NO 2+H2O=HNO2+HNO3( 快反应 ) Si+4HNO 2=SiO2+4NO+2H ( 快反应 ) （第一步的主反应） 4HNO 3+NO+H2O=6HNO2(快反应 ) 只要有少量的二氧化氮生成， 就会和水反应变成亚硝酸， 只要少量的一氧 化氮生成，就会和硝酸、 水反应很快地生成亚硝酸， 亚硝酸会很快的将硅 氧化，生成一氧化氮，一氧化氮又与硝酸、水反应，这样一系列化学反应 最终的结果是造成硅的表面被快速氧化，硝酸被还原成氮氧化物。 二氧化硅的溶解 SiO 2+4HF=SiF+2HO(四氟化硅是气体 ) SiF 4+2HF=HSiF 6 总反应 SiO 2+6HF=H2SiF 6+2HO 最终反应掉的硅以氟硅酸的形式进入溶液。 文案大全 实用标准 清水冲洗 硅片经过碱液腐蚀 （氢氧化钠 / 氢氧化钾），腐蚀掉硅片经酸液腐蚀后的多孔硅 硅片经 HF、HCl 冲洗，中和碱液，如不清洗硅片表面残留的碱液，在烘干后硅片的表面会有结晶 水冲洗表面，洗掉酸液 c. 注意 制绒后的面相对于未制绒的面来说比较暗淡 现场图 奥特斯维电池厂采用 RENA的设备。 二、扩散 目的 提供 P-N 结，POCl3 是目前磷扩散用得较多的一种杂质源。 POCl3 液态源扩散方法具有生产效率较高，得到 PN结均匀、平整和扩散层表面良好等优点。 原理 POCl3 在高温下（ 600℃）分解生成五氯化磷（ PCl5）和五氧化二磷（ P2O5 ）， 其反应式如下： 5POCl3 600 C 3PCl5 P2O5 但在有外来 O2 存在的情况下， PCl5 会进一步分解成 P2O5 并放出氯气（ Cl 2） 文案大全 实用标准 其反应式如下： 4PCl5 5O 2 过量 O 2 2P2 O5 10Cl 2 在有氧气的存在时， POCl3 热分解的反应式为： 4POCl3 5O2 2P2 O5 6Cl2 生成的 P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（ SiO2）和磷原子，其 反应式如下： 2P2 O5 5Si 5SiO2 4P c. 结论 由此可见，在磷扩散时，为了促使 POCl3充分的分解和避免 PCl5 对硅片表 面的腐蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。 POCl3 分解产生的 P2O5 淀积在硅片表面， P2O5 与硅反应生成 SiO2 和磷原子，并 在硅片表面形成一层磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中进行扩散 。 现场图 SEVEVSTAR扩散设备。 三、刻蚀去边 目的 由于在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式，硅片的所有表面( 包 文案大全 实用标准 括边缘 ) 都将不可避免地扩散上磷。 P-N 结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到 P-N 结的背面而造成短路。 此短路通道等效于降低并联电阻。经过刻蚀工序， 硅片边缘带有的磷将会被去除干净， 避免 P-N 结短路造成并 联电阻降低。 原理 湿法刻蚀原理 大致的腐蚀机制是 HNO3氧化生成 SiO2，HF再去除 SiO2。化学反应方程式如 下： 3Si+4HNO=3SiO2+4NO+2HO SiO2+4HF=SiF+2HO SiF 4+2HF=HSiF6 中间部分有碱槽， 碱槽的作用是为了抛光未制绒面， 使其变得更加光滑； 碱 槽的主要溶液为 KOH；H2SO4溶液的目的是为了使硅片在流水线上漂浮流动起来， 不参与反应。 现场图 湿法刻蚀现场图 文案大全 实用标准 干法刻蚀现场图： 干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。 当气体以等离子体形式存在时，它具备两个特点：一方面等离子体中的这些气体化学活性比常态下时要强很多， 根据被刻蚀材料的不同， 选择合适的气体， 就可以更快地与材料进行反应， 实现刻蚀去除的目的； 另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速， 使其具备一定能量， 当其轰击被刻蚀物的表面时， 会将被刻蚀物材料的原子击出，