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IGBT模块 T 型三电平拓扑换流过程分析及测试方法
IGBT 模块 T 字型 - 三电平电路拓扑和状态表：
T 字型 - 三电平电路拓扑
1）拓扑中共有 4 只 IGBT，4 只二极管，还有电容组 C1 和 C2；假设正负母线电压均等，都是 Vdc 。
2 ）将 T1，T2，T3，T4 的状态用 1 和 0 分别表示， 1 表示开通， 0 表示关断。
T 字型 - 三电平电路状态表
1）状态采用 16 进制表示；
2 ）稳定模态有 3 种： C，6 ，3；
3）死区状态有 2 种： 4，2 。死区状态的切换用黄色部分表示。
状态循环和电流流向：
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在该拓扑中， IGBT 的所有开关状态的切换是循环的过程。
在该拓扑中，电流的流向分为两种情况：
朝内 - 蓝色箭头所示；
朝外 - 红色箭头所示。
由于这两种情况是对偶关系，所以在以下的分析中，我们假定电流流向朝外（红色箭头）。
状态 C-1100：
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状态 C-1100-- 状态 4-0100 ：
状态 4-0100-- 状态 6-0110 ：
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状态 6-0110-- 状态 2-0010 ：
状态 2-0010-- 状态 3-0011 ：
状态 3-0011-- 状态 2-0010 ：
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状态 2-0010-- 状态 6-0110 ：
状态 6-0110-- 状态 4-0100 ：
状态 4-0100-- 状态 C-1100 ：
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小结：
经过以上对三电平拓扑中每个切换过程的分析，可以得出如下结论：
IGBT 部分：
1）电流朝外流时： T1(C--4) ，T2(6--2) 在关断时会有电压尖峰。
2 ）电流朝内流时： T3(6--4) ，T4(3--2) 在关断时会有电压尖峰。
3）T1~T4 在关断时产生的电压尖峰，都是基于半个母线电压 Vdc 。但是由于 T1 管和 T4 管的阻断电压高，
所以 T1 管和 T4 管的关断电压应力风险相对较低；而 T2 管和 T3 管是低压管，所以 T2 管和 T3 管的关断电
压应力相对较大，这点需要特别注意。
二极管部分：
1）电流朝外流时： D3，D4有续流。 D3(4--C) ，D4(2--6) 反向恢复。
2 ）电流朝内流时： D1，D2有续流。 D1(4--6) ，D2(2--3) 反向恢复。
3）高阻断电压 D1管和 D4 管在反向恢复时，是基于半个母线电压 Vdc，所以产生的峰值功率也相对较小；
但是 D2管和 D3管由于阻断电压较低， 在基于半个母线电压 Vdc 反向恢复时， 产生的峰值功率会相对较大，
这点需要特别注意。
双脉冲测试：
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1）经过以上分析， 我们知道 T 字型 - 三电平拓扑中四只 IGBT都会存在关断电压尖峰，四只二极管都存在反
向恢复行为。
2 ）为了确保系统中所有器件的安全性，我们需要利用双脉冲测试对各个器件进行评估。
双脉冲测试 -T3D1：
1）在“ 1”和“ AC之间加入电感 L。
2 ）T1，T2，T4 常关。
3）给 T3 管发双脉冲。
4 ）用示波器观测 T3 管的开关行为，和 D1管的反向恢复行为。
5）蓝色路径表示 IGBT 电流。
6）绿色路径代表二极管续流电流。
双脉冲测试 -T1D3
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