第四章固体物理.pptVIP

第四章 晶体中的缺陷与运动;缺陷的含义：;4.1晶体缺陷的类型;4.1晶体缺陷的类型;典型的色心-F心：离子晶体中负离子空位束缚一个电子的组合。在此情况下，空位可以看做是电子的陷阱。为简单起见，势阱的宽度取为离子的尺寸，对典型离子晶体设晶格常数为a，陷阱宽度为a/2。根据量子力学，束缚电子的能量为：;电子从基态跃迁到第一激发态所吸收的能量;4.1晶体缺陷的类型;(3)面缺陷 ; 刃位错的滑移 ;; P2-一个填隙原子在单位时间内从一个间隙位置跳到相邻间隙位置的几率；;以填隙原子为例。; 填??原子跳到相邻间隙位置所必须等待的时间为：;每秒所产生的填隙原子数为(N－n1)P，;单位时间内填隙原子的复合概率为n1/?2N，;由于晶体中原子热振动能量的统计涨落所产生。;A肖脱基缺陷数目统计 ;A肖脱基缺陷数目统计 ;B弗仑克尔缺陷统计;B弗仑克尔缺陷统计;4.3热缺陷的统计理论;粒子的扩散;那么这些填隙离子在单位时间内跳过x晶面的数目为;向右的净扩散粒子流密度为;4.4 缺陷的扩散;4.4 缺陷的扩散;4.5 扩散的微观机构; 晶体粒子的扩散有三种方式：以填隙原子的形式扩散；粒子借助于空位扩散；两种方式并存。; u1+E1代表激活能，u1代表空位形成能，当u1小时，空位浓度大，有利于扩散进行；;（2）填隙原子机构;设从A点到B点经过f小步，每一小步的距离为xi (i=1，2，…，f )，显然; 与填隙原子相邻的一个格点是空位的概率是n1/N， 因此填隙原子跳N/n1小步才能遇到一个空位与之复合，所以 f=N/n1，如果把每一小步的距离都看作等于a，于是;4.5 扩散的微观机构;一般说来，u2大于u1，所以同样温度下，D1要比D2大得多。;（3）杂质原子扩散;在此时间内;典型A＋B－离子晶体; 设Ci、Vi分别代表第i种热缺陷的浓度和漂移速度，则四 种缺陷总的电流密度为;;因此沿外电场方向速度：;为离子的迁移率。;填隙离子定向漂移产生的电流密度可表示为; 电势场于重力势性质是一样的，晶体中的离子在电场 中的布朗运动于重力场中气体分子的布朗运动性质相同， 类比于气体分子在重力场中按高度分布的公式，可以得到;总 结;（1）点缺陷; 当晶格周期性的破坏是发生在晶体内部一条线的周围近邻，这种缺陷称为线缺陷。位错就是线缺陷。;u2为形成一个填隙原子所需的能量。;（2）热缺陷的运动、产生和复合;晶体中的扩散;(1)空位机构; 因为N远大于n2，所以杂质原子的扩散系数比晶体填隙原子的自扩散系数要大得多。;离子晶体的点缺陷及导电性