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? 烧结法 — 烧结法只适合于原本具有空心或微孔结构的细颗粒制成粗颗粒的生产，主要指粉煤灰陶粒。 — 生产工艺流程 — 主要原材料 ? 粉煤灰:细度为4900孔/cm2筛余＜25%，含碳量≤10%， Fe2O3 ≤10%， 高温变形温度1200~1300℃ ，软化温度1500℃左右 。 ? 粘结剂:主要为高塑性粘土或纸浆废液。粘土的可塑性指数最好≥ 15%，参量一般为总干料量的10% ~ 15% 。 ? 固体燃料:可采用无烟煤、焦碳下脚料，也可用含碳的粘土质煤矸石同时担当燃料和粘结剂。一般要求干物料的总含碳量应控制在4% ~ 6% ，混料前须磨成4900孔/cm2筛余＜50%的细粉。 干燥 成球 烧结 搅 拌 冷却 破碎与筛分 — 链板式粉煤灰陶粒烧结机生产工艺参数 ?成球工艺与粘土陶粒一样，生产的关键环节为干燥与烧结。干燥一般采用回转干燥机，烧结可采用立窑，立波尔窑、回转窑，目前多采用链板式粉煤灰陶粒烧结机，该机有一台带环形多孔蓖板的台车和燃烧室组成，沿蓖板传送方向为加料、点火、烧结、冷却四个区，料球在蓖板上摊铺成层，随蓖板传送，在点火区用重油或煤气点燃，进入烧结区，内燃料与从冷却区来的热空气混合燃烧实现烧结。 ? 成球与干燥阶段:使生料球径在2~20mm范围内（ 2~5mm的料球占多数 ，不含大块与粉料 ） ，高温烧炸率＜10%。 ? 温度:点火温度控制在 1150~1300℃ ，料层厚度控制在250~300mm，烧结温度 控制在1200~1300℃ ， 台车行走速度0.6m/min，卸料温度为200~300℃ 。 ? 陶粒的技术性能及其影响因素 —密度 ◇堆积密度：作绝热用的陶粒和陶砂，一般要求堆积密度不大于80000kg/m3。 ◇表观密度：制品的表观密度受陶粒（砂）的堆积密度的影响，同时还取决于胶结材的用量。 ? 烧胀型陶粒（砂），其表观密度主要决定于原材料的膨胀性。具有较高碱金属含量和SiO2、Al2O3含量，可在熔点较低的情况下获得较宽的软化温度范围，有利于膨胀。在粘土的软化温度区间内，产生膨胀的主要因素是MnO2 、Fe2O3和有机物，故含有机质成分较高的红壤土，容易产生膨胀。一般来讲，烧炸率随着颗粒粒径和含水率的增大而增大；膨胀率岁温度的增高而增高。 ? 烧结型陶粒（砂），其表观密度主要决定于原材料的颗粒密度。 ? 影响因素及提高TiO2光催化性能的途径 ? 晶相组成 —单一晶相而言，锐钛矿相的TiO2光催化性优于金红石相的TiO2，但最新研究表明，混晶的TiO2具有最佳的光催化活性（如锐钛矿相/金红石相为1:3的TiO2粉体）。 ? TiO2薄膜的晶粒尺寸 —纳米尺度的TiO2薄膜具有高的光催化活性，且当其半导体颗粒尺寸在10nm左右时，出现量子尺寸效应，光催化活性大大提高。 ? TiO2薄膜的厚度 —对晶态TiO2薄膜,存在对应最佳光催化活性的薄膜厚度阈值，该值为150-200nm。可以认为此值为下限，上限需通过实验确定（并非越厚越好）。 —对非晶态TiO2薄膜,其厚度阈值与晶态的变化趋势完全不同。如TiO2-W薄膜,其降解对亚甲基蓝的厚度阈值位141nm，超过此值，降解率不再提高，在阈值以下，降解率与厚度成正比。 ? TiO2薄膜的掺杂（离子修饰） —有效的金属离子掺杂应满足2个条件(1) 掺杂物能同时捕获电子和空穴，使其能局部分离；(2) 被捕获的电子和空穴能被释放并迁移到反应界面。 — Fe3+等具有完全充满或半充满电子构型的过渡金属离子，会使捕获的电子容易释放出来，从而提高TiO2的光电子产率；其他电子构型的过渡金属离子，如Co2+、Cr3+的掺杂，会使电子被深度捕获，而降低TiO2的光催化活性。另外象Zn2+、 Ca3+ 、Cr4+ 、Sb4+ 、Ta5+等具有闭壳层电子构型的金属离子的掺杂影响则很小。 —高价离子（W6+）的掺杂壳使费米能级表面势垒变高，光生电子空穴在强电场下得到有效的分离从而增强了光降解效果；而低价离子（Ca2+）的作用则相反。 —与Ti4+离子半径（74.5pm）相近的离子较易取代晶格位置上的Ti4+或进入晶格间隙（如Fe3+ 、Co 2+ 、Ni2+ 、Cr2+ ），而Zn2+等具有较大离子半径，难以进入TiO2的晶格，在较低掺杂浓度下，表面可能会析出ZO团簇。 —在TiO2中掺Ag金属粒子，可使光吸收向长波方向偏移；若同时再掺入Re（铼），则可大大提高（·OH）的产率。 ? TiO2薄膜的掺杂（离子修饰） —将TiO2与其他不同能级的氧化物半导体如SnO2和 SiO2复合可以提高TiO2的光催化活性。试验表明； SiO2、 ZrO2与TiO2复合能够提高光催化性能，而WO3对光催化性能没有明显的影响。 —研究表明，只有通过掺杂引入新的杂质能级才有可