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光 电 二 极 管 教 程
工作原理
结光电二极管是一种基本器件,其功能类似于一个普通的信号二极管,但在结半导体的耗尽区吸收光时,它会产生光电流。光电二极管是一种快速,高线性度的器件,在应用中具有高量子效率,可应用于各种不同的场合。
根据入射光确定期望的输出电流水平和响应度是有必要的。图 1 描绘了一个结光电二极管模型,它由基本的独立元件
组成,这样便于直观了解光电二极管的主要性质,更好地了解 Thorlabs 光电二极管工作过程。
图 1: 光电二极管模型光电二极管术语
响应度
光电二极管的响应度可以定义为给定波长下,产生的光电流 (I PD) 和入射光功率 (P) 之比:
工作模式 ( 光导模式和光伏模式 )
光电二极管可以工作在这两个模式中的一个 : 光导模式 ( 反向偏置 ) 或光伏模式 ( 零偏置 ) 。 工作模式的选择根据应用中速度和可接受暗电流大小 ( 漏电流 ) 而定。
光导模式
处于光导模式时, 有一个外加的偏压, 这是我们 DET系列探测器的基础。 电路中测得的电流代表器件接受到的光照;
测
量的输出电流与输入光功率成正比。
外加偏压使得耗尽区的宽度增大,响应度增大,结电容变小,响应度趋向直线。
工作在这些条件下容易产生很大的暗电流,但可以选择光电二极管的材料以限制其大小。
( 注 : 我们的 DET器件都是
反向偏置的,不能工作在正向偏压下。
)
光伏模式
光伏模式下,光电二极管是零偏置的。
器件的电流流动被限制,形成一个电压。
这种工作模式利用了光伏效应,它
是太阳能电池的基础。
当工作在光伏模式时,暗电流最小。
暗电流
暗电流是光电二极管有偏压时的漏电流
.
工作在光导模式时 , 容易出现更高的暗电流
, 并与温度直接相关 . 温度每增
加?10?°C, 暗电流几乎增加一倍 ,
温度每增加 ?6 °C, 分流电阻增大一倍 .
显然 ,
应用更大的偏压会降低结电容
,
但也会增加当前暗电流的大小 .
当前的暗电流也受光电二极管材料和有源区尺寸的影响
. 锗器件暗电流很大 ,
硅器件通常比锗器件暗电流小 . 下表给
出了几种光电二极管材料及它们相关的暗电流
, 速度,
响应波段和价格 .
Material Dark Current Speed Sensitivity* Co
Material
Dark Current
Speed
Sensitivity*
Co
Silicon (Si)
Low
High Speed
400 - 1000 nm
Lo
Germanium (Ge)
High
Low Speed
900 - 1600 nm
Lo
Gallium Phosphide (GaP)
Low
High Speed
150 - 550 nm
Mode
Indium Gallium Arsenide (InGaAs)
Low
High Speed
800 - 1800 nm
Mode
Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs)
High
High Speed
1200 - 2600 nm
Hi
* 代表近似值
结电容
结电容( Cj )是光电二极管的一个重要性质,对光电二极管的带宽和响应有很大影响。需要注意的是,结区面积大的二极管结体积也越大,也拥有较大的充电电容。在反向偏压应用中,结的耗尽区宽度增加,会有效地减小结电容,增大响应速度。
带宽和响应
负载电阻和光电二极管的电容共同限制带宽。要得到最佳的频率响应,一个 50 欧姆的终端需要使用一条 50 欧姆的同
轴电缆。带宽( f BW)和上升时间响应( t r )可以近似用结电容( Cj )和负载电阻( Rload )表示:
终端电阻
使用负载电阻将光电流转换为电压( VOUT)以便在示波器上显示:
根据光电二极管的类型, 负载电阻影响其响应速度。 为达到最大带宽, 我们建议在同轴电缆的另一端使用 50 欧姆的终
端电阻。其与电缆的本征阻抗相匹配,将会最小化谐振。如果带宽不重要,您可以增大负载电阻( Rload ),从而增大给
定光功率下的光电压。终端不匹配时, 电缆的长度对响应影响很大,所以我们建议使电缆越短越好。
分流电阻
分流电阻代表零偏压下光电二极管的结电阻。理想的光电二极管分流电阻无限大,但实际值可能从十欧姆到几千兆欧
不等,与其材料有关。例如, InGaAs 探测器分流电阻在 10 兆欧姆量级,而 Ge探测器的分流电阻在千欧量级。这会显着影响光电二极管的噪声电流。然而,在大部分应用中,大电阻几乎不产生效应,因而可以忽略。
串联电阻
串联电阻是半导体材料的电阻,这个小电阻通常可以忽略。串联电阻来自于光电二极管的触点和线接头,通常用来确定二极管在零偏
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