光电二极管教程.docxVIP

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光 电 二 极 管 教 程 工作原理 结光电二极管是一种基本器件,其功能类似于一个普通的信号二极管,但在结半导体的耗尽区吸收光时,它会产生光电流。光电二极管是一种快速,高线性度的器件,在应用中具有高量子效率,可应用于各种不同的场合。 根据入射光确定期望的输出电流水平和响应度是有必要的。图 1 描绘了一个结光电二极管模型,它由基本的独立元件 组成,这样便于直观了解光电二极管的主要性质,更好地了解 Thorlabs 光电二极管工作过程。 图 1: 光电二极管模型光电二极管术语 响应度 光电二极管的响应度可以定义为给定波长下,产生的光电流 (I PD) 和入射光功率 (P) 之比: 工作模式 ( 光导模式和光伏模式 ) 光电二极管可以工作在这两个模式中的一个 : 光导模式 ( 反向偏置 ) 或光伏模式 ( 零偏置 ) 。 工作模式的选择根据应用中速度和可接受暗电流大小 ( 漏电流 ) 而定。 光导模式 处于光导模式时, 有一个外加的偏压, 这是我们 DET系列探测器的基础。 电路中测得的电流代表器件接受到的光照; 测 量的输出电流与输入光功率成正比。 外加偏压使得耗尽区的宽度增大,响应度增大,结电容变小,响应度趋向直线。 工作在这些条件下容易产生很大的暗电流,但可以选择光电二极管的材料以限制其大小。 ( 注 : 我们的 DET器件都是 反向偏置的,不能工作在正向偏压下。 ) 光伏模式 光伏模式下,光电二极管是零偏置的。 器件的电流流动被限制,形成一个电压。 这种工作模式利用了光伏效应,它 是太阳能电池的基础。 当工作在光伏模式时,暗电流最小。 暗电流 暗电流是光电二极管有偏压时的漏电流 . 工作在光导模式时 , 容易出现更高的暗电流 , 并与温度直接相关 . 温度每增 加?10?°C, 暗电流几乎增加一倍 , 温度每增加 ?6 °C, 分流电阻增大一倍 . 显然 , 应用更大的偏压会降低结电容 , 但也会增加当前暗电流的大小 . 当前的暗电流也受光电二极管材料和有源区尺寸的影响 . 锗器件暗电流很大 , 硅器件通常比锗器件暗电流小 . 下表给 出了几种光电二极管材料及它们相关的暗电流 , 速度, 响应波段和价格 . Material Dark Current Speed Sensitivity* Co Material Dark Current Speed Sensitivity* Co Silicon (Si) Low High Speed 400 - 1000 nm Lo Germanium (Ge) High Low Speed 900 - 1600 nm Lo Gallium Phosphide (GaP) Low High Speed 150 - 550 nm Mode Indium Gallium Arsenide (InGaAs) Low High Speed 800 - 1800 nm Mode Extended Range Indium Gallium Arsenide (InGaAs) High High Speed 1200 - 2600 nm Hi * 代表近似值 结电容 结电容( Cj )是光电二极管的一个重要性质,对光电二极管的带宽和响应有很大影响。需要注意的是,结区面积大的二极管结体积也越大,也拥有较大的充电电容。在反向偏压应用中,结的耗尽区宽度增加,会有效地减小结电容,增大响应速度。 带宽和响应 负载电阻和光电二极管的电容共同限制带宽。要得到最佳的频率响应,一个 50 欧姆的终端需要使用一条 50 欧姆的同 轴电缆。带宽( f BW)和上升时间响应( t r )可以近似用结电容( Cj )和负载电阻( Rload )表示: 终端电阻 使用负载电阻将光电流转换为电压( VOUT)以便在示波器上显示: 根据光电二极管的类型, 负载电阻影响其响应速度。 为达到最大带宽, 我们建议在同轴电缆的另一端使用 50 欧姆的终 端电阻。其与电缆的本征阻抗相匹配,将会最小化谐振。如果带宽不重要,您可以增大负载电阻( Rload ),从而增大给 定光功率下的光电压。终端不匹配时, 电缆的长度对响应影响很大,所以我们建议使电缆越短越好。 分流电阻 分流电阻代表零偏压下光电二极管的结电阻。理想的光电二极管分流电阻无限大,但实际值可能从十欧姆到几千兆欧 不等,与其材料有关。例如, InGaAs 探测器分流电阻在 10 兆欧姆量级,而 Ge探测器的分流电阻在千欧量级。这会显着影响光电二极管的噪声电流。然而,在大部分应用中,大电阻几乎不产生效应,因而可以忽略。 串联电阻 串联电阻是半导体材料的电阻,这个小电阻通常可以忽略。串联电阻来自于光电二极管的触点和线接头,通常用来确定二极管在零偏

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