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. 模拟电路基础 复习资料 一、填空题 1．在 P 型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。 2．在 N 型半导体中，多数载流子是（ 电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。 3．当 PN结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。 4 ．当 PN结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。 4.1 、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为 本征半导体 ，当掺入五价微量元素便形成 N 型半导体 ， 其电子为 多数载流子， 空穴为 少数载流子 。当掺入三价微量元素便形成 P 型半导体 ，其 空穴为多子 ， 而 电子为少子 。 4.2、二极管的正向电流 是由 多数载流子 的扩散运动 形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。 4.3 、二极管有 一个 PN结，它具有 单向导电性 ，它的主要特性有： 掺 杂性、热敏性、光敏性 。可作 开关、 整流、 限幅 等用途 。硅二极管的死区电压 约为 0.5V ，导通压降约为 0.7V ，锗二极管的死区电压约为 0.1V 、导 通压降约为 0.2V 。 5、三极管具有三个区： 放大区、截止区、饱和区 ，所以三极管工作有三种状态： 工作状态、饱和状态、 截止状态 ，作放大用时，应工作在 放大状态 ，作 开关 用时，应工作在 截止、饱和状态。 5.1 、三极管具有二个结：即 发射结和集电结 。饱和时： 两个结都应正偏 ；截止时： 两个结都应反偏。 放 大时：发射结应（ 正向 ）偏置，集电结应（ 反向 ）偏置。 5.2 、三极管放大电路主要有三种组态，分别是： 共基极电路、共集电极电路、共发射极电路。共射放大 电路 无电压放大作用，但可放大电流 。共基极放大电路 具有电压放大作用，没有倒相作用 。且共基接法的输 入电阻比共射接法低 . 5.3 、共射电极放大电路又称 射极输出器或电压跟随器 , 其主要特点是 电压放大倍数小于近似于 1、输入电 阻很大、输出电阻很小。 5.4 单管共射放大电路中， 1. 交直流并存， 2. 有电压放大作用， 3. 有倒相作用。 5.5 微变等效电路法适用条件： 微小交流工作信号、 三极管工作在线性区。 5.6 图解法优点 : 1. 即能分析静态 , 也能分析动态工作情况； 2. 直观 形象； 3. 适合分析工作在大信号 状态下的放大电路。 缺点 : 1. 特性曲线存在误差； 2. 作图麻烦 , 易带来误差； 3. 无法分析复杂电路和高 频小工作信号。 5.7 微变等效电路法 优点 : 1. 简单方便； 2. 适用于分析任何基本工作在线性范围的简单或复杂的电路。 缺点 : 1. 只能解决交流分量的计算问题； 2. 不能分析非线性失真； 3. 不能分析最大输出幅度 。 U U 6．根据理论分析， PN结的伏安特性为 I I S (e T 1) , 其中 I S 被称为（ 反向饱和 ） 电流，在室温下 U T 约等于（ 26mV ）。 7．BJT 管的集电极、基极和发射极分别与 JFET 的三个电极（ 漏极 ）、（ 栅极 ）和（