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? 一般认为：硅单晶对外部的应力呈现弹性特性， 其强度足以与钢材媲美。硅膜片的厚度与强度的关 系，可以根据式 (4.3-1) 、式 (4.3-4) 及硅的屈服应 力求出。设屈服应力 σ max 为 392MPa(4000kgf/cm 2 ) ， 根据式 (4.3-1) 可以求出：直径为 2mm 厚为 40um 的 硅膜片可能承受的最大压力 P max 为 837kPa. ? 本节介绍的压力传感器的硅膜片的破坏强度约为 4.4MPa(45kgf ／ cm 2 ) ，即实测值比计算值要高出 许 多，分析其原因，可以认为，采用化学腐蚀法加工 膜片时，因为周围出现了微小塌边，缓和了应力集 3 、压力传感器的额定值与特性 ? 额定压力为 203KPa （ 2 个大气压），过载 压力是在不影响各项特性的范围里可以加 上的最大压力值。其为额定压力的 1.5 倍， 为 304KPa （ 3 个大气压）。 ⑴、压力额定值 ⑵、输出电压特性 ①、输出电压： ? 在加上电压 VE 与压力时桥 式电路输出端上的电压。 ②、偏置电压： ? 外加压力为 0Pa 时的输出电 压 V 0 值，也称其为桥不平衡 零点电压； ③、控制电压： ? 传感器上加上额定压力的输 出电压再减去上述偏置电压， 它表明了压力传感器的灵敏 度。 ? 输出电压－压力特性曲线 ⑶、精度与温度特性 ? 将半导体压力 传感器作为高精 度传感器使用时 ，就需要进行温 度补偿、灵敏度 调整以及偏置电 压的零点调整。 4 、半导体压力传感器用作进气压力传感器 ⑴、作用： ? 检测进气压力，以便于实现排气再循环控制，空 然比控制及点火时间控制等。 ⑵、结构： ? 为了实现高精度 检测，将包括有温 度补偿电路、放大 电路在内的混合集 成电路与半导体压 力传感器制成一体 ⑶、温度补偿 ? 随着温度的升高输 出电压下降，因此就 要进行控制，以保证 在规定的温度范围内 输出电压为一定值。 ? 对温度补偿特性的要求就是修正偏置电压随温度的 变化以及控制电压随温度的变化。 ? 偏置电压： R P ，与 R 相反 ? 控制电压： R f ，正温度系数 4.4 集成电路型（ IC ）大气压传感器 ? 这种传感器是利用半导体的 IC 技术与 微加工技术，在一块半导体基片上形成 压力传感器，温度补偿电路和放大电路。 集成电路 (Integrated Circuit – IC ）是指 通过一系列特定的加 工工艺，将多个晶体 管、二极管等有源器 件和电阻、电容等无 源器件，按一定的电 路连接集成在一块半 导体单晶片或其他基 底片上，作为一个不 可分割的整体执行某 一特定功能的电路组 件。 ⑴、压力检测部分的构成 ? 在硅片的中间，从反面经 异向腐蚀形成了正方形的膜 片，利用膜片将压力变换成 应力，在膜片的表面，通过 扩散杂质形成了四个 P 型测量 电阻，它们按桥式电路连接。 利用压阻效应将加在膜片上 的应力变换成电阻的变化，此 电阻的变化通过桥式电路之后 在桥式电路的两输出端子之间 以电位差的方式对外输出。 1 、 IC 大气压力传感器的构成 （ 2 ）电路的特性 ? 压力传感器的主要特性： ①、灵敏度 ②、偏置电压 ; ③、灵敏度的温度补偿 ④、偏置电压的温度特性 ? IC 大气压力传感器的等效电路图 R P －偏置电压温度补偿调节电阻； Ra 、 R b －偏置电压调整电阻； R f －正温度系数反馈电阻； R s －调整该电阻可以缩小灵敏度的杂散范围； （ 3 ） 传感器 的结构 2 、制造工艺 ? 在支撑模拟电路时，以晶向（ 100 ）的 P 型硅片为基片，在基 片已生长成的 n 型外延层中，采用双极式 IC 工艺制成双极式晶 体 管，电阻及电容器等。另外，在双极式电路工序完成之后，则 用碱性溶液通过异向腐蚀法在芯片的反面形成压力检测部位的 膜片。膜片的尺寸为 2mm × 2mm, 管芯尺寸为 4mm × 4mm, 膜片周围 ⑴、芯片工艺 （ 2 ）元件加工工艺 （ 3 ）性能的调整 ? 性能调整包括偏置电压温度特性的调整，偏置电压 的调整，灵敏度的调整。调整偏置电压温度特性时， 先测定出传感元件分总成的偏置电压温度特性，根据 此值将厚膜电阻切边以达到规定值。在调整偏置电压 与灵敏度时，分别加上 0pa 、 101.3kpa ，再调整厚 膜 电阻，使输出电压达到最大值。 （ 4 ）性能检查 ? 性能检查包括温度特性和压力特性，检查时，调 整加在 IC 大气压传感器上的温度、压力，读取其输 出值，判断是否合格。 3 、规格和可靠性 ? 常温时的输出特性曲线 ? － 30 ℃ ～ +100 ℃ 时的输出特性曲线 4.5 半导体微差压力传感器 ? 与以往不同的是：在涡旋压力导入管的左右设置涡旋压力 导入口，将