实验报告4(MOSFET工艺器件仿真).docxVIP

学生实验报告 院别 课程名称 器件仿真与工艺综合设计实验 班级 实验三 MOSFE工T 艺器件仿真 姓名 实验时间 学号 指导教师 成绩 批改时间 报告内容 实验目的和任务 1.理解半导体器件仿真的原理， 掌握 Silvaco TCAD 工具器件结构描述流程及特性仿真流程； 2.理解器件结构参数和工艺参数变化对主要电学特性的影响。 二、实验原理 1. MOSEET 基本工作原理（以增强型 NMOSFET 为例）： 以N 沟道 MOSEET 为例，如图 1所示，是 MOSFET 基木结构图。在 P 型半导体衬底 上制作两个 N+ 区，其中一个作为源区，另一个作为漏区。源、漏区之间存在着沟道区，该横向距离就是沟道长度。在沟道 区的表面上作为介质的绝缘栅是由热氧化匸艺生长的二氧化硅层。在源区、漏区和绝缘栅上的电极是由一层 铝淀积，用于引出电极 ,引出的三个电极分别为源极 S、漏极 D 和栅极 G。并且从 MOSEET 衬底上引出一个 电极 B 极。加在四个电极上的电压分别为源极电压 Vs 、漏极电压 V D 、栅极电压 VG 和衬底偏压 VB 图 1 MOSFET 结构示意图 MOSFET 在工作时的状态如图 2 所示。 Vs V D 和 V B的极性和大小应确保源区与衬底之间的 PN 结及漏 区与衬底之间的 PN 结处与反偏位置。 可以把源极 与衬底连接在一起， 并且接地 ,即 Vs=