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(c) 双端隔离的模数转换电路 5 结语 – 以上对电子电路的电气隔离问题作出了概括性 的论述,在产品的研制实践中 , 还要对电子电气 设备的内部噪声及外部干扰进行全面的分析, 结合“接地问题”,“屏蔽问题” , 选择合理的 隔离方式及其恰当的隔离部位,进行统一部署, 才能设计出满足电磁兼容性要求的合格产品, 造福于社会。 1.3.2 电力设备中的隔离技术 ? 隔离技术是电磁兼容性中的重要技术之一。 下面将电磁兼容中的隔离技术分为磁电、 光电、机电、声电和浮地等几种隔离方式 加以叙述。 ? 磁电隔离技术 – 隔离变压器 – 脉冲变压器 – 测量变压器 – 霍尔传感器 ? 光电隔离技术 – 光电耦合器 – 红外遥控 – 光缆 ? 机电隔离技术 – 有触点电磁继电器 机电隔离一般采用有触点电磁继电器来实现, 即电磁继电器的线圈接收信号,机械触点发送 信号。由于机械触点分断时,阻抗很大,电容 很小,从而阻止了电路性耦合产生的电磁干扰 的传输。但是继电器的线圈工作频率较低,不 适用于工作频率较高的场合,另外还存在触点 通断时的弹跳和火花干扰以及接触电阻等缺点。 1.2.5 绝缘栅双极型功率管 IGBT (一)简介 ? 绝缘栅双极型晶体管 IGBT 是由 MOSFET 和双极型 晶体管复合而成的一种器件,其输入极为 MOSFET ,输出极为 PNP 晶体管,因此,可以把 其看作是 MOS 输入的达林顿管。它融和了这两种 器件的优点,既具有 MOSFET 器件 驱动简单和快 速的优点 ,又具有双极型器件 容量大的优点 ,因 而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的 应用。 ? 在 中大功率的开关电源装置 中, IGBT 由于其控制 驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点, 已逐步取代晶闸管或 GTO 。 ? 但是在开关电源装置中,由于它工作在高 频与高电压、大电流的条件下,使得它容 易损坏,另外,电源作为系统的前级,由 于受电网波动、雷击等原因的影响使得它 所承受的应力更大,故 IGBT 的可靠性直接 关系到电源的可靠性。因而,在选择 IGBT 时除了要作降额考虑外, 对 IGBT 的保护设 计也是电源设计时需要重点考虑的一个环 节。 ? 工作原理: IGBT 等效电路 (二) IGBT 的驱动电路 1 ,分立元件组成的驱动电路 2 ,由集成电路构成的驱动电路 (三) IGBT 的保护电路 1 , IGBT 栅极的保护 2 , 集电极与发射极间的过压保护 – 2.1 直流过电压 – 2.2 浪涌电压的保护 1. 在选取 IGBT 时考虑设计裕量; 2. 在电路设计时调整 IGBT 驱动电路的 Rg ,使 di/dt 尽可能 小; 3. 尽量将电解电容靠近 IGBT 安装,以减小分布电感; 4. 根据情况加装缓冲保护电路,旁路高频浪涌电压。 缓 冲 保 护 电 路 3 , 集电极电流过流保护 4 , 过热保护 – 一般情况下流过 IGBT 的电流较大,开关频率较 高,故而器件的损耗也比较大,如果热量不能 及时散掉,使得器件的结温 Tj 超过 Tjmax ,则 IGBT 可能损坏。 – IGBT 的功耗包括稳态功耗和动态动耗,其动态 功耗又包括开通功耗和关断功耗。在进行热设 计时,不仅要保证其在正常工作时能够充分散 热,而且还要保证其在发生短时过载时, IGBT 的结温也不超过 Tjmax 。 1.2.6 可控硅 ? 分类: – 单向可控硅 – 双向可控硅 – 可关断可控硅 单向可控硅 2P4M 图示: 表 7 - 1 可控硅导通和关断条件 状态 条件 说明 从关断到导 通 1 、阳极电位高于是阴极电 位 2 、控制极有足够的正向电 压和电流 两者缺 一不可 维持导通 1 、阳极电位高于阴极电位 2 、阳极电流大于维持电流 两者缺 一不可 从导通到关 断 1 、阳极电位低于阴极电位 2 、阳极电流小于维持电流 任一条 件即可 1.2.7 智能功率器件 ? 目前,功率器件正朝着集成化、智能化和 模块化的方向发展。智能功率器件为机电 一体化设备中弱电与强电的连接提供了理 想的接口。介绍了智能功率器件的特点、 产品分类、工作原理及典型应用。 ? 所谓智能功率器件,就是把功率器件与传 感器、检测和控制电路、保护电路及故障 自诊断电路等集成为一体并具有功率输出 能力的新型器件。 由 MC33374T/TV 构成 52W 开关电源的电路 H 桥 双 向 直 流 电 动 机 驱 动 电 路 各种功率器件的性能及应用领域 : 1.3 电路隔离抗干扰技术 1.3.1 电子设备的电路隔离技术 1.3.2 电力设备中的隔离技术 1.3.3 光电耦合器及其应用 1.3.1 电子设备的电路隔离技术 1 引言 2 模拟电路的隔离
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