2020第三章场效应管.pptVIP

2. N 沟道耗尽型 MOS 管 1 ）结构、符号和工作原理 N 沟道耗尽型 MOS 管的结构如图 3.12 （ a ）所示， 图形符号如图 3.12 （ b ）所示。 N 沟道耗尽型 MOS 管在 制造时，在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子， 这些正离子的存在，使得 U GS =0 时，就有垂直电场进入 半导体，并吸引自由电子到半导体的表层而形成 N 型导 电沟道。 N N ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － ＋ － S U GS G D U DS 耗尽层 N 沟道 P 铝电极 ( a ) G S D 衬底 ( b ) 图 3.12 N 沟道耗尽型 MOS 管的结构和符号 （ a ）结构 ; （ b ）图形符号 如果在栅源之间加负电压， U GS 所产生的外电场 就会削弱正离子所产生的电场，使得沟道变窄，电流 I D 减小 ; 反之，电流 I D 增加。故这种管子的栅源电压 U GS 可以是正的，也可以是负的。改变 U GS ，就可以改变沟 道的宽窄，从而控制漏极电流 I D 。 2 ）特性曲线 （ 1 ）输出特性曲线。 N 沟道耗尽型 MOS 管的输出 特性曲线如图 3.13 （ a ）所示，曲线可分为可变电阻 区、恒流区（放大区）、夹断区和击穿区。 ( a ) U DS / V 8 12 16 0 2 4 6 8 U GS ＝ 0 恒流区 4 10 12 － 2 V 1 V 2 6 10 14 － 1 V 2 V 可变电 阻 区 I D / mA 图 3.13 N 沟道耗尽型 MOS （ a ）输出特性曲线 第三章 场效应管 场效应管（简称 FET ）是利用输入电压产生的电场 效应来控制输出电流的，所以又称之为电压控制型器件。 它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故也 叫单极型半导体三极管。因它具有很高的输入电阻，能满 足高内阻信号源对放大电路的要求，所以是较理想的前置 输入级器件。它还具有热稳定性好、功耗低、噪声低、制 造工艺简单、便于集成等优点，因而得到了广泛的应用。 根据结构不同，场效应管可以分为结型场效应管 （ JFET ）和绝缘栅型场效应管（ IGFET ）或称 MOS 型场效 应管两大类。根据场效应管制造工艺和材料的不同，又可 分为 N 型沟道场效应管和 P 型沟道场效应管。 3. 1 结型场效应管 1. 结构和符号 1 ）结构 结型场效应管（ JFET ）结构示意图如图 3.1 （ a ） 所示。 N 沟 道 G 栅极 S 源极 D 漏极 N P P ( a ) G D S ( b ) 3DJ7 D G S ( c ) 图 3.1 N （ a ）结构示意图 ; （ b ）图形符号 ; （ c ）外形图 漏极 G D S P 沟 道 G 栅极 S 源极 D P N N ( a ) ( b ) 图 3.2P 沟道结型场效应管 （ a ）结构示意图 ; （ b ）图形符号 2. 工作原理 现以 N 沟道结型场效应管为例讨论外加电场是如 何来控制场效应管的电流的。 如图 3.3 所示，场效应管工作时它的两个 PN 结始终 要加反向电压。对于 N 沟道，各极间的外加电压变为 U GS ≤ 0 ，漏源之间加正向电压，即 U DS ＞ 0 。 当 G 、 S 两极间电压 U GS 改变时，沟道两侧耗尽层 的宽度也随着改变，由于沟道宽度的变化，导致沟道电 阻值的改变，从而实现了利用电压 U GS 控制电流 I D 的目 的。 N D G S P P I D U DS ＋ ＋ － U DD ＋ － U GG U GS － ＋ － 图 3.3 场效应管的工作原理 1 ） U GS 对导电沟道的影响 当 U GS ＝０时，场效应管两侧的 PN 结均处于零偏 置，形成两个耗尽层 , 如图 3.4 （ａ）所示。此时耗尽 层最薄，导电沟道最宽，沟