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半导体器件原理简明教程习题答案傅兴华 1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点 . 解 整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料。 原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料。 原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料 . 1.6 什么是有效质量， 根据 E(k) 平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率的相对大小 . 解 有效质量指的是对加速度的阻力 . 1 1 2 Ek m * h k 由能带图可知 ,Ge 与 Si 为间接带隙半导体 ,Si 的 Eg 比 Ge的 Rg 大，所以 Ge Si .GaAs 为 直接带隙半导体 , 它的跃迁不与晶格交换能量 , 所以相对来说 GaAs Ge Si . 1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同 , 材料 1 的禁带宽度为 1.1eV, 材料 2 的禁带宽度为 3.0eV, 计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值 , 哪一种半导体材料更适 合制作高温环境下工作的器件 ? 解 本征载流子浓度 : ni 4.82 10 15 mdn mdp ) exp( Eg ) ( m0 2 kT 两种半导体除禁带以外的其他性质相同 n1 exp( 1.1 ) 1.9 1.9 kT n1 n2 在高温环境下 n2 更合适 exp( ) 0 n2 exp( k3T.0 ) kT kT 1.11 在 300K 下硅中电子浓度 n0 2 103 cm 3 ,计算硅中空穴浓度 p0 ,画出半导体能带图 ,判 断该半导体是 n 型还是 p 型半导体 . n0 p0 ni 2 p0 ni 2 (1.5 1010 )2 1.125 1017 cm 3 p0 n0 是 p 型半导体 解 n0 2 103 1.16 硅中受主杂质浓度为 1017cm 3 ,计算在 300K 下的载流子浓度 n0 和 p0 ,计算费 M 能级相 对于本征费 M 能级的位置 ,画出能带图 . 解 p0 N A 1017 cm 3 n0 p0 ni 2 T=300K → ni 1.5 1010 cm 3 n0 ni 2 2.25 103 cm 3 p0 n0 该半导体是 p 型半导体 p0 Ei EFP KT ln( p0 ) 0.0259 ln( 1017 10 ) ni 1.5 10 1 / 9 1.27 砷化镓中施主杂质浓度为 1016 cm 3 ，分别计算 T=300K 、 400K 的电阻率和电导率。 T 300K ni 2 10 6 cm 3 ni 解 n0 N D 1016 cm 3 T 400K ni no po ni 2 p0 n0 电导率 qn0 n qp0 p ，电阻率 1 1.40 半导体中载流子浓度 n0 1014 cm 3 ,本征载流子浓度 ni 1010 cm 3 , 非平衡空穴浓度 p 1013 cm 3 ,非平衡空穴的寿命 n0 10 6 s ,计算电子 -空穴的复合率 ,计 算载流子的费 M 能级和准费 M 能级 . 解 因为是 n 型半导体 n0 1 p C p N t R Co N t p 1019 cm n0 EFn Ei kT ln( n0 p ) Ei EFp kT ln( po p) ni ni 2.2 有两个 pn 结 ,其中一个结的杂质浓度 N D 5 1015 cm 3 , N A 5 1017 cm 3 ,另一个结的 杂质浓度 ND 5 1017 cm 3 , N A 5 1019 cm 3 , 在室温全电离近似下分别求它们的接触电 势差 ,并解释为什么杂质浓度不同接触电势差的大小也不同. 解 接触电势差 VD kT ln( NAND ) 可知 VD 与 N A 和 N D 有关 ,所以杂质浓度不同接触电势 q 2 ni 差也不同 . 2.5 硅 pn 结 N D 5 1016 cm 3 , N A 1017 cm 3 ,分别画出正偏 0.5V 、反偏 1V 时的能带图 . 解 T 300Kni 1.5 1010 cm 3 VD kT ln( N A N D ) 1.38 10 23 300 ln 5 1016 10 6 1017 10 6 = 8.02 10 2V q ni 2 1.6 10 19 (1.5 1010 )2 q(VD V ) 0.37 10 19 正偏 : qV 0.8 10 19 反偏 : q(VD VR ) 1.728 10 19 q VR 1.6 10 19 2.12 硅 pn 结的杂质浓度分别为 N D 3