2020年GaN基电力电子器件研发与制造项目可行性研究报告.docxVIP

2020年GaN基电力电子器件研发 与制造项目可行性研究报告 2020年8月 目 录 一、项目概况...................................................................................... 4 二、项目建设的背景 .......................................................................... 5 1、高效节能是社会可持续发展永恒主题，半导体产业转移带来巨大机遇 ....5 2、跨国企业引领功率器件技术发展，第三代半导体材料潮起 ........................6 3、快速充电器可能成为 GaN 器件“杀手级”应用................................................8 三、项目建设的必要性....................................................................... 9 1、国家政策鼓励发展宽禁带半导体产业 ............................................................9 2、全球功率半导体市场稳步增长，GaN 功率器件市场空间广阔 ..................10 （1）全球功率半导体市场稳步增长，中国是全球最大功率半导体市场...................10 （2）产品材料目前仍以硅基为主，SiC、GaN 等第三代半导体材料方兴未艾..........11 （3）GaN 快充应用取得实质性进展，GaN 功率器件市场高速拓展...........................11 四、项目建设的可行性..................................................................... 13 1、GaN 功率器件的投资布局符合公司专注于化合物半导体领域的长期发展战 略 ............................................................................................................................13 2、公司拥有坚实的技术基础，保障项目的顺利实施 ......................................13 五、项目建设内容、主要产品 ......................................................... 14 1、项目建设内容 ..................................................................................................14 2、项目主要产品 ..................................................................................................14 六、项目投资计划 ............................................................................ 15 七、项目效益评价 ............................................................................ 15 一、项目概况 第三代半导体材料主要包括GaN、SiC等，因其禁带宽度≥2.3电 子伏特（eV），又被称为宽禁带半导体材料。宽禁带半导体具有高 热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高键合能等优点，具有 极强的战略性和前瞻性，是支撑国防军备、5G移动通信、新能源汽 车、云计算等产业发展的关键基础技术，在国防安全、节能减排、智 能制造、产业升级等方面具有重大战略意义。 宽禁带功率半导体是功率半导体的重要分支。功率半导体是实现 电能转换和控制的核心器件，分为功率器件与功率集成电路两大类。 功率器件主要有功率二极管、功率三极管、晶闸管、金属氧化物场效 应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、SiC功率器 件、GaN功率器件等。目前，硅基MOSFET和IGBT是功率器件市场 规模最大、增长最快的领域。SiC由于在功率、热导率、稳定性等方 面发展更成熟，是目前应用规模最大的宽禁带功率半导体材料。GaN 的物理性质与SiC类似，能隙、饱和电子速度、临界击