14电子半导体器件.ppt

发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 + + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + + + 10.4.2 电流放大原理 B E C N N P E B R B E c 发射结正 偏，发射 区电子不 断向基区 扩散，形 成发射极 电流 I E 。 I E 1 进入 P 区的电子 少部分与基区的 空穴复合，形成 电流 I B ，多数扩 散到集电结。 I B 海南风光 第 14 讲 10.1 半导体的基础知识， P 型硅， N 型硅 10.2 PN 结及半导体二极管 10.3 稳压二极管 10.4 半导体三极管 第 10 章 半导体器件 10.1.1 本征半导体 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和 锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 Si 硅原子 Ge 锗原子 § 10.1 半导体的基本知识 通过一定的工艺过程，可以将半导体 制成 晶体 。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体， 称为 本征半导体 。 在硅和锗晶体中，每个原子与其相临的原 子之间形成 共价键 ，共用一对价电子。 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4 表示除 去价电子 后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价 键中，称为 束缚电子 ，常温下束缚电子很难 脱离共价键成为 自由电子 ，因此本征半导体 中的自由电子很少，所以本征半导体的导电 能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电 子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力， 使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 10.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质， 就会使半导体的导电性能发生显著变化。 其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度 大大增加。载流子：电子，空穴 N 型半导体 （主要载流子为电子，电子半导体） P 型半导体 （主要载流子为空穴，空穴半导体） N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或 锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代， 磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相临的 半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个 电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子， 这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个 磷原子给出一个电子，称为 施主原子 。 硅或锗 + 少量磷 ? N 型半导体 N 型半导体 多余电子 磷原子 硅原子 + N 型硅表示 Si P Si Si P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或 铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代， 硼原子的最外层有三个价电子，与相临的半导体原 子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸 引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带 负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为 受主 原子 。 硅或锗 + 少量硼 ? P 型半导体 空穴 P 型半导体 硼原子 P 型硅表示 Si Si Si B 硅原子 空穴被认为带一个单位的正电荷，并且 可以移动 杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 10.2.1 PN 结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造 P 型 半导体和 N 型半导体，经过载流子的扩散， 在它们的交界面处就形成了 PN 结。 § 10.2 PN 结及半导体二极管 P 型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场