数字集成电路知识点整理.pdfVIP

. Digital IC：数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电 路或系统 第一章 引论 1 、数字 IC 芯片制造步骤 设计：前端设计 （行为设计、 体系结构设计、 结构设计） 、后端设计 （逻辑设计、 电路设计、 版图设计） 制版：根据版图制作加工用的光刻版 制造：划片：将圆片切割成一个一个的管芯（划片槽） 封装：用金丝把管芯的压焊块（ pad ）与管壳的引脚相连 测试：测试芯片的工作情况 2 、数字 IC 的设计方法 分层设计思想： 每个层次都由下一个层次的若干个模块组成， 自顶向下 每个层次、每个 模块分别进行建模与验证 SoC 设计方法： IP 模块（硬核（ Hardcore) 、软核（ Softcore) 、固核（ Firmcore ））与设计 复用 Foundry （代工）、 Fabless （芯片设计）、 Chipless （IP 设计）“三足鼎 立” ——SoC 发展的模式 3 、 数字 IC 的质量评价标准（重点：成本、延时、功耗，还有能量啦可靠性啦驱动能力啦 之类的） NRE (Non-Recurrent Engineering) 成本 设计时间和投入，掩膜生产，样品生产 一次性成本 Recurrent 成本 工艺制造（ silicon processing ），封装（ packaging ），测试（ test ） 正比于产量 一阶 RC 网路传播延时：正比于此电路下拉电阻和负载电容所形成的时间常数 功耗： emmmm 自己算 4 、EDA 设计流程 IP 设计 系统设计（ SystemC ） 模块设计（ verilog ） 综合 版图设计 (.ICC) 电路级设计（ .v 基本不可读） 综合过程中用到的文件类型 ( 都是 synopsys) ： 可以相互转化 .db （不可读） .lib （可读） 加了功耗信息 . . .sdb .slib 第二章 器件基础 1 、保护 IC 的输入器件以抗静电荷（ ESD 保护） 2 、长沟道器件电压和电流的关系： 3 、短沟道器件电压和电流关系 速度饱和：当沿着沟道的电场达到临界值ξ C 时，载流子的速度由于散射效应（载流子 之间的碰撞）而趋于饱和。 ξC 取决于掺杂浓度和外加的垂直电场强度 器件在 V DS达到 VGS--V T 之前就已经进入饱和状态，所以与相应的长沟道器件相比，短 沟道器件饱和区围更大 反面整理 P63 3.3.2 静态状态下的 MOS 晶体管相关参数以及公式（尤其是速度饱和） 4 、MOS 管二阶效应 阈值变化 ：随着器件尺寸的缩小，阈值电压变成与 L、W、VDS 有关 短沟效应（漏端感应势垒降低（ DIBL））：电压控制耗尽区宽度， V DS 提高将会导致 势垒降低，甚至过高的 V DS将会导致源漏短路，称为源漏穿流 窄沟效应：沟道耗尽区并不立即在晶体管边沿终止， 而是会向绝缘场氧下面延伸一些， 栅电压必须维持这一额外的耗尽电荷才能建立一条导电沟道，在