第2章 元器件制造技术(2015).pdfVIP

第二章元器件制造技术 可靠性与系统工程学院 付桂翠 fuguicui@buaa.edu.cn 2015年09月22 日 本章内容提要 1 半导体集成电路芯片制造技术 2 混合集成电路工艺 半导体集成电路芯片制造技术 1 发展里程碑 2 基本工艺 3 器件工艺 4 芯片加工中的缺陷和成品率预测 发展里程碑 1954年，Bell实验室开发出氧化、光掩膜、刻蚀和扩散工 艺； 1958年后期，仙童公司的物理学家Jean Hoerni开发出一种 在硅上制造PN结的结构，并在结上覆盖了一层薄的硅氧化 层作绝缘层，在硅二极管上蚀刻小孔用于连接PN结； Sprague Electric的物理学家Kurt Lehovec开发出使用PN结 隔离元件的技术； 1959年，仙童公司的Robert Noyce通过在电路上方蒸镀薄 金属层连接电路元件来制造集成电路； 1960年Bell实验室开发出外延沉积/注入技术，即将材料的 单晶层沉积/注入到晶体衬底上； 发展里程碑 1963，RCA制造出第一片由MOS （Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）工艺制造的集成电 路； 1963，仙童公司的Frank Wanlass提出并发表了互补型 MOS集成电路的概念。 CMOS是应用最广泛的、高密度集成电路的基础。 历史回顾 摩尔定律 1965年，仙童半导体的研发主管摩尔(Gordon Moore) 指 出：微处理器芯片的电路密度，以及它潜在的计算能力， 每隔一年翻番。 后来，这一表述又修正为每18个月翻番。这也就是后来 闻名于IT界的“摩尔定律”。 戈登.摩尔 集成电路现状 芯片特征尺寸 晶片尺寸 Intel 45nm 晶片 Intel CPU芯片特征尺寸 450mm(18英寸)(预计2012年面世)、 300mm(12英寸,2002)、200mm(8英寸,1990) 集成电路的基本工艺 以圆形的硅片为基础，在初始硅片上经过氧化、掺杂、薄膜淀积、光 刻、蚀刻等步骤的单独使用或组合重复使用，制作出器件，再通过电 极制备、多层布线实现各器件间的互连，实现一定的功能，最后再经 过封装测试成为成品； 前工艺:芯片制造； 后工艺:组装、测试。 双极型晶体管制作工艺 (a)一次氧化 (b)光刻基区 (c)基区硼扩散、氧化 (d)光刻发射区 (e)发射区磷扩散、氧化 (f)光刻引线孔 (g)蒸镀铝膜 (h)刻蚀铝电极 硅片制备 多晶硅生产、单晶生长、硅圆片制造 原料： 高温 氯化 粗硅 四氯化硅 石