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+ V DD +10V B 1 G 1 D 1 S 1 u A u Y T N T P B 2 D 2 S 2 G 2 V SS + - u GSN + - u GSP 2. 3 CMOS 集成门电路 2. 3. 1 CMOS 反相器 A Y ? 一、 电路组成及工作原理 A Y 1 0V + 10V u A u GSN u GSP T N T P u Y 0 V U TN U TP 截止 导通 10 V 10 V U TN U TP 导通 截止 0 V U TN = 2 V U TP = - 2 V R ONP Y DD 10V S T N T P +10V R ONN u +V DD 0V S T N T P 二、静态特性 1. 电压传输特性： ) ( I O u f u ? i D + V DD B 1 G 1 D 1 S 1 + u I - u O T N T P B 2 D 2 S 2 G 2 V SS A B C D E F U TN V DD U TH U TP U NL U NH AB 段： u I U TN ， u O = V DD 、 i D ? 0 ， 功耗极小。 0 u O /V u I /V T N 截止、 T P 导通， BC , TN I U u ? T N 导通， u O 略下降。 CD 段： T N 、 T P 均导通。 , 5 . 0 DD I V u ? 。 (max) D D O i i u ?? ??? DE 、 EF 段： 与 BC 、 AB 段对应， T N 、 T P 的状态与之相反。 导通 截止 : T N ? 截止 导通 : T P ? 转折电压 指为规定值时，允许波动的最大范围。 U NL ： 输入为低电平时的噪声容限。 U NH ： 输入为高电平时的噪声容限。 = 0.3 V DD 噪声容限： 2. 电流传输特性： ) ( I D u f i ? i D + V DD B 1 G 1 D 1 S 1 + u I - u O T N T P B 2 D 2 S 2 G 2 V SS A B C D E F U TN V DD U TH U TP U NL U NH 0 u O / V u I / V A B C D E F 0 i D / mA u I / V U TH 电压传输特性 电流传输特性 AB 、 EF 段： T N 、 T P 总有一个为 截止状态，故 i D ? 0 。 CD 段： T N 、 T p 均导通，流过 两管的漏极电流达到最大 值 i D = i D （ max) 。 阈值电压： U TH = 0.5 V DD （ V DD = 3 ~ 18 V ） 2. 3. 2 CMOS 与非门、或非门、与门和或门 A B T N1 T P1 T N2 T P2 Y 0 0 0 1 1 0 1 1 截 通 截 通 通 通 通 截 截 通 截 截 截 截 通 通 1 1 1 0 与非门 一、 CMOS 与非门 u A + V DD +10V V S S T P 1 T N 1 T P 2 T N 2 A B Y u B u Y A B 0 1 0 1 AB Y = 或非门 B A Y ? ? 二、 CMOS 或非门 u A + V DD +10V V S S T P 1 T N 1 T N 2 T P 2 A B Y u B u Y A B T N1 T P1 T N2 T P2