ZnO_ZnS复合薄膜的制备及光电性能研究.pdf

摘要 摘 要 随着能源和环境问题的日益加剧，新能源材料的制备和利用亦愈来愈重要。 ZnO 纳米材料作为一种新型的半导体材料，因其良好的电子传输性能和化学稳定 性，在光催化、光探测、太阳能电池等领域都得到广泛的应用。使用ZnO 纳米薄 膜替代TiO2 纳米薄膜作为钙钛矿太阳能电池中的电子传输层，可以提太阳能电池 的光电转换效率。但是ZnO 纳米薄膜在制备和使用过程中仍然存在一些没有解决 的问题，例如光学带隙过宽和表面缺陷容易导致钙钛矿层的分解等。 本文通过磁控溅射法制备ZnO 薄膜，通过改变衬底温度和溅射时间来制备不 同的ZnO 薄。结果表明，以FTO 玻璃作为衬底制备ZnO 薄膜时，最好的工艺参 数是溅射功率为80W，氧氩比为1：9，衬底温度400℃ ，溅射时间40min 。在这种 条件下制备的 ZnO 薄膜颗粒紧密，晶粒尺寸最大，光学带隙最窄(3.241ev)，载流 子寿命最长(39.088ms)，器件的短路电流和开路电压最大(9.2μAcm-2, 1.08V)。与磁 控溅射制备的ZnO 薄膜相比，采用溶胶凝胶法制备的ZnO 薄膜颗粒分布疏松，晶 粒的生长方向呈现出随机性，光学带隙没有变化，短路电流和开路电压较小 (6.11μAcm-2, 0.81V)。Al 掺杂浓度会影响ZnO 薄膜的形貌和电化学性能。Al 掺杂 浓度为3%时，ZnO 薄膜的光学带隙最窄(3.131eV)，电化学性能最好。 使用不同方法制备的ZnO 薄膜作为籽晶层，通过水热法在相同的水热条件下 合成氧化锌纳米棒阵列(ZnORs) 。ZnO/ZnORs 薄膜的电子传输性能明显提高,短路 电流密度达到了27.6μAcm-2 。ZnO 籽晶层的特性会对ZnORs 造成影响，籽晶层的 晶粒尺寸与ZnORs 的直径正相关，但是电化学性能不受籽晶层的影响。使用不同 籽晶层制备的ZnO/ZnORs 的电化学性能产生差异的原因主要是籽晶层性能的差异。 将ZnORs 浸泡在硫脲溶液中，经过热处理后可以使ZnORs 表面发生硫化，形 成ZnO-ZnS 混合结构外壳，可以得到ZnO/ZnS 复合薄膜。ZnO 和ZnS 之间的能级 结构可以减小电子空穴对的复合概率。此外，采用表面硫化的方式制备 ZnO/ZnS 复合薄膜可以减小ZnO 和ZnS 之间的界面在电子运输过程中产生的阻碍。因此， 复合薄膜的电化学性能提高，电子运输效率得到了提升。籽晶层不同的ZnORs 在 硫化处理后，ZnO/ZnS 复合薄膜的各项性能改变相同，这表明硫化处理不受ZnORs 形貌的影响。 关 键 词： ZnO 纳米材料；磁控溅射；溶胶凝胶；Al 掺杂；ZnO-ZnS 复合结 构 论文类型：应用基础研究 I 目录 目 录 第1 章 绪论 1 1.1 太阳能电池发展 1 1.2 钙钛矿太阳能电池 1 1.3 电子传输层 3 1.4 ZnO 的基本性质 3 1.5 ZnO 的制备方法 4 1.5.1 磁控溅射法 4 1.5.2 溶胶凝胶法 4 1.5.3 水热法 5 1.5.4 化学气相沉积法 5 1.5.5 电纺丝法 5 1.6 ZnO 材料的界面修饰 5 1.6.1 掺杂改性 6 1.6.2 钝化层 6 1.7 ZnO 材料在其他领域的应用 6 1.7.1 光催化器件 6 1.7.2 气体探测 6 1.7.3 压电器件 7 1.7.4 光探测器 7 1.8 本论文研究的内容 7 第2