模拟集成电路设计方案试卷.docxVIP

PAGE PAGE # 1、 与其它类型的晶体管相比， MOS器件的尺寸很容易按 比例 缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低—的制造成本。 2、 放大应用时，通常使 MOS管工作在_饱和一区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义 —跨导_来 表示电压转换电流的能力。 3、 入为沟长调制效应系数，对于较长的沟道， 入值 较小 _ （较大、较小）。 4、 源跟随器主要应用是起到 ___电压缓冲器—的作用。 5、 共源共栅放大器结构的一个重要特性就是 _输出阻抗_很高，因此可以做成 ―恒定电流源_。 6、 由于_尾电流源输出阻抗为有限值 _或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输 出的改变。 7、 理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制 沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为 —共源共栅电流镜 —结构。 为方便求解，在一定条件下可用 —极点一结点关联一法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容 Cin为—Cf （1 - A） __。 10、入为沟长调制效应系数， 入值与沟道长度成 —反比__ （正比、反比）。 二.名词解释（每题 3分，共15分） 1、 阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部 衬底”上，