生物医学工程先进制造：光刻与软刻蚀原理和技术.pptxVIP

光刻与软刻蚀原理和技术;掌握;光刻概述 Photolithography;光刻需要;Photoresist(PR)－光刻胶;对光刻胶的要求;Photoresist;正胶 Positive Photoresist;负胶 Negative Photoresist;光刻工艺 Photolithography Process;光刻工序(以厚负胶为例);1、清洗硅片 Wafer Clean;2、预烘和底膜涂覆 Pre-bake and Primer Vapor;3、光刻胶涂覆 Photoresist Coating;4、前烘 Soft Bake;5、对准 Alignment;6、曝光Exposure;7、后烘 Post Exposure Bake;8、显影 Development;9、坚膜 Hard Bake;10、图形检测 Pattern Inspection;光刻1－硅片清洗;光刻2－预烘;光刻3－涂胶 Spin Coating;光刻胶厚度与旋转速率和粘性的关系;滴胶;光刻胶吸回;Photoresist Spin Coating;Photoresist Spin Coating;光刻4－前烘;光刻56、对准和曝光;对准和曝光设备;接触式曝光机;接触式曝光机;接触式曝光;接近式曝光机;接近式曝光机;接近式曝光;投影式曝光机;投影系统;步进式曝光机;步进--重复 对准/曝光;曝光光源;驻波效应;光刻胶中的驻波效应;光刻7－曝光后烘焙（后烘，PEB）;PEB减小驻波效应;光刻8－显影(Development);显影;显影后剖面;光刻9－坚膜（Hard Bake）;光刻胶热流动填充针孔;坚膜（Hard Bake）;坚膜的控制;光刻胶流动;光刻10－图形检测（Pattern Inspection）;图形检测;未对准问题;图形检测;光刻间全部流程;未来趋势 Future Trends;光衍射;衍射光的减小;数值孔径（Numerical Aperture：NA）;分辨率 Resolution;提高分辨率;下一代光刻Next Generation Lithography (NGL);EUV 超紫外;X射线光刻（X-ray lithography）;电子束曝光E-Beam;电子束曝光E-Beam;电子束曝光E-Beam;光刻总结;刻蚀定义;栅掩膜对准 Gate Mask Alignment;栅掩膜曝光 Gate Mask Exposure;Development/Hard Bake/Inspection;Etch Polysilicon刻蚀多晶硅;Etch Polysilicon 继续;Strip Photoresist 光刻胶剥离;离子注入Ion Implantation;快速热退火Rapid Thermal Annealing;刻蚀术语;刻蚀速率;刻蚀选择比;刻蚀剖面;刻蚀剖面;湿法刻蚀;湿法刻蚀;湿法刻蚀剖面 Wet Etch Profiles;湿法刻蚀 SiO2;湿法刻蚀 Si、Poly-Si;湿法刻蚀 Silicon Nitride;湿法刻蚀 Aluminum;湿法刻蚀 Titanium;影响刻蚀速率的因素;湿法刻蚀的危险性;湿法刻蚀的优点;湿法刻蚀的缺点;干法刻蚀;干法刻蚀和湿法刻蚀的比较;等离子体（ Plasma）刻蚀;溅射刻蚀;反应离子刻蚀 Reactive Ion Etch (RIE);Single Crystal Silicon Etch;Polysilicon Etch;Metal Etch;Metal Etch Chemistries;刻蚀总结