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第七章第七章
微波控制电路
林林林林 先先先先 其其其其
电子科技大学电子工程学院电子科技大学电子工程学院电子科技大学电子工程学院电子科技大学电子工程学院
xqlin@uestc.edu.cnxqlin@uestc.edu.cn, , 科科C310C310
主要内容
•概述
•PIN二极管的基本特性
•微波开关微波开关
•微波电压控制移相器微波电压控制移相器
•微波电调衰减器
•微波限幅器
2
§7.1 引 言
••用途:多波束雷达、相控阵雷达、电子对抗、微波通信、用途:多波束雷达、相控阵雷达、电子对抗、微波通信、
微波测量。微波测量。
••器件:微器件:微波波波波半导体半导体管管管管和铁氧体。和铁氧体。
••半导体管特点:控制功率小、速度快、体积小、重量轻。半导体管特点:控制功率小、速度快、体积小、重量轻。
••半导体控制元件半导体控制元件半导体控制元件半导体控制元件::PINPINPINPIN管管管管、、变容管变容管变容管变容管、、肖特基管肖特基管肖特基管肖特基管、、场效应管场效应管场效应管场效应管。。
PIN管:功率容量大、损耗小、开关特性好、电流驱动、
功耗偏大功耗偏大、正电压控制正电压控制。
FET:功率容量小、损耗偏大、电压驱动、功耗可以忽
略、负电压控制,便于集成。
••分类分类:根据其用途,主要包括以下三种:
微波信号传输路径通断或转换——微波开关,脉冲调制
器等器等
控制微波信号的大小——电控衰减器,限幅器,幅度调
制器等制器等。
控制微波信号的相位——数字移相器,调相器等。
3
§7.2 PIN二极管的基本特性
•PIN二极管结构
P+ SiO2 + SiO2
P
I=N
I=N
+
N 型基底
+
N
(a)PIN二极管极管的简化结构简化结构 (b)经台面处理技术加
工成的工成的PINPIN二极管结构二极管结构
图7.1 PIN二极管结构
4
PIN结特性
•工作机理:
零偏压——由于扩散作用,P区的空穴和N区的电子分别
向向I区扩散后复合区扩散后复合,在在I区边界建立起区边界建立起一电场电场,阻碍空穴和电阻碍空穴和电
子的注入——等效为高阻抗;
反偏压反偏压—— 空间电荷层变厚空间电荷层变厚,势垒升高势垒升高,PNPN结的不导结的不导
电程度增加;—等效为更高阻抗值 C S / d
j I
正偏压——空间电荷层变薄,势垒降低,P层空穴以及
N层电子源源不断向I层注入并复合(平均寿命为 τp),形
成导通状态(等离子状态)——低阻,偏流越大,阻值越低
2
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I A N i e A T 1
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式中式中, 少数载流子寿命少数载流子寿命 ((11ss的量级的量级););NN 是轻掺杂是轻掺杂NN半导半导
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