半导体物理与器件实验报告...docxVIP

课程实习报告 HUNANUNIVERSITY 题 目： 半导体物理与器件 学生姓名 ： 周强强 学生学号： 20100820225 专业班级： 通信二班 完成日期： 2012.12.22 运行结果截图： 2.2 函数 V x,t cos(2 x / t ) 也是经典波动方程的解。 令 0 x 3 ，请在同一坐标中 绘出 x 的函数 V x, t 在不同情况下的图形。 (1) t 0;(2) t 0.25 ;(3) t 0.5 ;(4) t 0.75 ;(5) t 。 3.27根据式（ 3.79），绘制出 0.2 (E EF ) 0.2eV 范围内，不同温度条件下的费米 -狄拉克 概率函数： (a)T 200K ,( b)T 300K ,( c)T 400K。 4.3 画出（ a）硅，（ b）锗，（ c）砷化镓在温度范围 200K T 600K 内的本征载流子浓度曲线 （采用对数坐标）。 4.46 已知锗的掺杂浓度为  Na =3 1015 cm  3 ，  Nd =0 。画出费米能级相对于本征费米能级的位 置随温度变化 （200 K  T 600K )  的曲线。 5.20硅中有效状态密度为 N c 19 T3/2 N 19 T3/2 2.8 10 ( ) 1..0410() 3 0 0 300 n = 1 3 5 0 T 3 / 2 3 / 2 设迁移率为 =480 T 300 300 设禁带宽带为 Eg =1.12eV ，且不随温度变化。画出 200K T 600K 范围内， 本征电导率随 绝对温度 T 变化的关系曲线。 6.34 n型硅样品的掺杂浓度为 Nd 1016 cm 3 ，产生的过剩载流子的浓度为 p( x) 1014 exp x /10 4 cm 3 。在 0 x 4 1014 范围内，绘出 EFi EFp 随 x 变化的函 数。 7.4均匀掺杂的 GaAs pn 结，其掺杂浓度为 Na 5 1018 cm 3 , Nd 5 1016 cm 3 。画出 200 K T 500K 温度区间内，内建电势差随温度变化的曲线。 8.3 T  300K  ,理想硅  pn 结的少子寿命分别为  n 0  10 6 s,  p 0  10 7 s 。 N 区的掺杂浓度为 Nd  1016cm  3  。绘制出当  Na 的范围是  1015  Na  1018 cm 3 时，空间电荷区内空穴电流占总 电流的比例随  Na 变化的曲线图（采用对数坐标）。 9.10 金与掺杂浓度为  Nd  1016 cm 3 的 n型硅基础形成肖特基二极管。简要说明肖特基势垒降 低现象。 ( a)  绘出肖特基势垒降低值  与反偏电压在  0  VR  50V  时的图形； (b) 绘出 JsT VR / JsT VR 0 与反偏电压在 0 VR 50V 时的图形。 实验源代码（基于 mathematica7.0）： 2.2 V1=Cos[ 2 x / - 0]; V2=Cos[ 2 x / - 0.5 ]; V3=Cos[ 2 x / - ]; V4=Cos[ 2 x / - 1.5 ]; V5=Cos[ 2 x / - 2 ]; =1; Plot [{V1,V2,V3,V4,V5},{x,0,3}, PlotStyle RGBColor[1,0.5,0], RGBColor[1,0,0.5], RGBColor[0,1,0], RGBColor[0,0,1]}, AxesLabel {(/ ),V(x,t)}]  {RGBColor[1,0,1], 3.27 F1 = 1/(1+Exp[ x/(k * 200)]); F2 = 1/(1+Exp[ x/(k * 300)]); F3 = 1/(1+Exp[ x/(k * 400)]); k=0.0000861; Plot [{F1,F2,F3},{x,-0.2,0.2}, PlotStyle {RGBColor[1,0,0], RGBColor[0,1,0], RGBColor[0,0,1]}, AxesLabel {(E-E F), }] 4.3 (* 设 x=1000/T*) 38 * (1000/ x /300 )^3 Si =Sqrt[2.8 * 1.04 * 10 * Exp[-1.12 /(0.0000861*1000/x)]]; Ge =Sqrt[1.04 * 6 * 10 37 * (1000 /x /300 )^3 * Exp[-0.66/(0.0000861* 1000 /x)]]; GaAs =Sqrt[4.7 * 7 * 10 35 *