第4章光辐射的探测技术.docxVIP

第 4 章 光辐射的探测技术 本章主要讨论有关光电探测方面的一些基础知识和基本理论。 § 1 光电探测器的物理效应 光电探测器——能把光辐射量转换成另一种便于测量的物理量的器 件。 一、光子效应和光热效应 光子效应 指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。探 测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。光子能量的大小，直接影响内部电子状态的改变。 特点：光子效应对光波频率表现出选择性，响应速度一般比较快。 光热效应 探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变， 而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升 , 温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。 特点：原则上对光波频率没有选择性，响应速度一般比较慢。 （在红外波段上，材料吸收率高，光热效应也就更强烈，所以广泛 用于对红外线辐射的探测。 ） 二、光电发射效应 在光照下 , 物体向表面以外的空间发射电子（即光电子）的现象。能产生光电发射效应的物体，称为光电发射体，在光电管中又称为 光阴极。 1 爱因斯坦方程： Ek h E 截止波长： c ( m) 1.24 E (eV ) 三、光电导效应 光导现象——半导体材料的体效应 光辐射照射外加电压的半导体，如果光波长λ满足如下条件： ( m)c 1.24 (本征 ) Eg ( eV) 1.24 (杂质 )