光刻 硅集成电路工艺 微电子技术工艺原理教学PPT课件.ppt

基本参数： 分辨率(resolution) 焦深(depth of focus) 套刻精度(alignment accuracy) 产率(throughput) …… 数值孔径：收集衍射光的能力。n为折射率 分辨率 k1=0.6-0.8 提高分辨率： NA?，??，k1? NA?，焦深? ? 焦深 光源 波长?(nm) 术语 技术节点 汞灯 436 g线 0.5mm 汞灯 365 i线 0.5/0.35mm KrF(激光) 248 DUV 0.25/0.18mm ArF (激光) 193 193DUV 100/65…32nm F2 (激光) 157 VUV 70/…… Using light source with shorter l 分辨率增强方法 高压汞灯光谱图 248 nm 157 nm 13.5 nm 193 nm Phase Shift Mask Normal Mask 相移掩模技术 PSM (phase shift mask) 光学临近修正OPC (optical proximity correction) 在光刻版上进行图形修正，来补偿衍射带来的光刻图形变形 OPC实例 第四章 光刻 微电子技术工艺原理 微电子技术工艺原理 教学大纲 第一章 概述 第一章 晶体生长 第二章 硅氧化 第三章 扩散 第四章 离子注入 第五章 薄膜淀积 第七章 外延 第八章 光刻 第九章 金属化 第十章 工艺集成 Contents Basic of CleanRoom Lithographic Process Common lithographic method ——Optical lithography Next-generation lithographic methods Comparison of Various Lithographic Method How to meet the process requirement ??? LLS -located light scatters GOI –gate oxide integrity Fab Cost Clean room Equipment, $1M per tool Materials, high purity, ultra high purity Facilities People, training and pay Fab cost is very high, $1B for 8” fab Yield How Does Fab Make Money Sale: Wafer (8”): ~$150/wafer Processing: ~$200 (1$/wafer, 200 process steps) Packing: ~$1/chip Cost ~100 chips/wafer ~$50/chip (low-end microprocessor in 2000) How Does a Fab Make (Loss) Money 100% yield: 150+200+100=$450/wafer 50% yield: 150+200+50=$400/wafer 0% yield: 150+200=$350/wafer Cost: 100% yield: 100×50=$5,000/wafer 50% yield: 50×50 =$2,500/wafer 0% yield: 0×50 =$0.0/wafer Sale: 100% yield: 5000-450=$4550/wafer 50% yield: 2500-400=$2100/wafer 0% yield: 0-350= -$350/wafer Profit Margin 三道防线: 超净间（clean room） 硅片清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering） 一、超净间 Fed. Std. 209E Cleanroom Structure Illustration of Fab Floor 恒温、恒湿！ 硅片清洗 注意：高温工艺过程会使污染物扩散进入硅片或薄膜中，因而前端工艺 (FEOL) 的清洗尤为重要！ 有机物/光刻胶的清除方法： 氧等离子体干法刻蚀：把光刻胶分解为气态CO2＋H2O （适用于大多数高分子膜） SPM：sulfuric/peroxide mixture